白云娜

作品数：3被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：氮化镓氢化物气相外延数值模拟GAN材料TEM更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaN薄膜材料TEM样品的制备
《半导体技术》2008年第S1期161-163,共3页陈雷英 陈贵锋 赵勇明 白云娜 马晓薇 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2007000119)
研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体...
关键词：氮化镓 透射电子显微镜 样品制备 薄膜材料 
垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
《半导体技术》2008年第S1期116-118,共3页赵勇明 陈贵锋 陈雷英 马晓薇 白云娜 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2008000079;E2007000119)
基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解温场通过与具体...
关键词：氢化物气相外延 温场 计算机流体力学 有限体积法 流场 
垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟
《半导体技术》2008年第S1期119-122,共4页赵勇明 陈贵锋 陈雷英 马晓薇 白云娜 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2007000119)
建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH3出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结...
关键词：氮化镓 氢化物气相外延 计算流体力学理论 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部