刘红艳

作品数：3被引量：12H指数：1
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：硅片HFRCA清洗硅片清洗声波更多>>
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多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响被引量：1
《稀有金属》2016年第12期1256-1259,共4页黄栋栋 曲翔 刘大力 周旗钢 刘斌 刘红艳 
国家重大科技专项项目(2010ZX02302-001)资助
硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄...
关键词：重掺硅片 多晶硅吸杂 择优腐蚀 氧沉淀 
大尺寸硅片边缘抛光技术被引量：1
《半导体技术》2016年第11期831-835,共5页李耀东 库黎明 刘斌 王新 郑琪 刘红艳 
国家科技重大专项(2010ZX02302-001)
重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中,硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200 mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验,使用显微...
关键词：硅片 边缘损伤 机械抛光 化学机械抛光(CMP) 外延加工 
HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用被引量：10
《半导体技术》2006年第2期108-111,共4页闫志瑞 李俊峰 刘红艳 张静 李莉 
国家863资助项目(2004AA3Z1140)
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上...
关键词：硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3 
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