闫志瑞

作品数：10被引量：80H指数：5
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：硅片硅片清洗300MM硅片硅片表面清洗工艺更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺文化科学机械工程更多>>
发文期刊：《稀有金属》《电子工业专用设备》《微电子学》《半导体技术》更多>>
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高温氩/氢混合气氛退火对硅片表面质量的影响被引量：1
《稀有金属》2013年第3期401-404,共4页王磊 周旗钢 李宗峰 冯泉林 闫志瑞 李青保 
国家科技部科技重大专项(2008ZX41091)资助项目
研究了高温退火过程中氩/氢混合气氛对300 mm硅片表面质量(原生颗粒缺陷和微粗糙度)的影响。在氢气含量不同的氩/氢混合气氛中,对样品进行1100℃,1 h的高温退火处理,研究退火前后硅片表面原生颗粒缺陷和微粗糙度值的变化。实验结果表明,...
关键词：高温退火 表面微粗糙度 空洞型缺陷 原生颗粒缺陷 
300mm Si外延片表面颗粒缺陷的研究被引量：3
《稀有金属》2012年第3期446-449,共4页刘大力 冯泉林 周旗钢 何自强 常麟 闫志瑞 
国家科技重大专项(200802401)资助项目
研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带;较高的拉晶速率下,外延片表面的环形缺陷带消失。利用Femag-CZ软件模拟了不同速率下晶体...
关键词：颗粒缺陷 外延 SP1 拉速 
300mm Si片加工及最新发展被引量：1
《半导体技术》2009年第12期1153-1156,共4页库黎明 闫志瑞 索思卓 周旗钢 
国家"863"十一五02重大专项支持(2008ZX02401)
65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是...
关键词：300mm Si片 磨削 抛光 清洗 
300mm硅片表面延性磨削机理研究
《微电子学》2009年第6期879-882,共4页葛钟 库黎明 陈海滨 盛方毓 索思卓 闫志瑞 
国家02专项(2008ZX02401)
根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论，通过设定磨削参数，使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明：硅片表面形成规律的磨削印痕，...
关键词：300 mm硅片 延性磨削 临界深度 损伤层 
Si片磨削中砂轮粒径对Si片损伤层的影响被引量：1
《半导体技术》2008年第12期1091-1094,共4页唐兴昌 肖清华 周旗钢 闫志瑞 
在直径300 mm Si片制备中,利用双面磨削技术能为后续加工提供高精度的表面,但Si片损伤层厚度较大。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜对Si片表面及截面进行观察,得到了经不同粒径的砂轮磨削后的Si片的表面及截面形貌、Si片的表面及亚...
关键词：硅片 双面磨削 表面损伤 亚表面损伤 
300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析被引量：9
《微电子学》2008年第3期373-376,共4页库黎明 闫志瑞 索思卓 常青 周旗钢 
国家高技术研究发展(863)计划"十五重大专项"基金资助项目(2002AA3Z1110)
建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘...
关键词：300 mm硅片 双面抛光 数学模拟 轨迹 平整度 
300mm硅片化学机械抛光技术分析被引量：18
《半导体技术》2006年第8期561-564,共4页闫志瑞 鲁进军 李耀东 王继 林霖 
国家863资助项目(2004AA3Z1140)
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点...
关键词：化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光 
HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用被引量：10
《半导体技术》2006年第2期108-111,共4页闫志瑞 李俊峰 刘红艳 张静 李莉 
国家863资助项目(2004AA3Z1140)
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上...
关键词：硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3 
半导体硅片清洗工艺发展方向被引量：15
《电子工业专用设备》2004年第9期23-26,共4页闫志瑞 
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向。
关键词：硅片 RCA清洗 硅片清洗 硅片表面 
硅片清洗及最新发展被引量：28
《中国稀土学报》2003年第z1期144-149,共6页刘红艳 万关良 闫志瑞 
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,...
关键词：硅片 硅片清洗 硅片表面微观状态 
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