肖清华

作品数：16被引量：24H指数：3
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：硅片离子注入单晶硅高温退火硅更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《中国集成电路》《矿业研究与开发》《电子显微学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国际科技合作与交流专项项目北京有色金属研究总院创新基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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黑硅制备技术及其应用的研究进展被引量：2
《稀有金属》2010年第6期930-935,共6页徐文婷 屠海令 常青 肖清华 
国家自然科学基金(60706001)资助项目
基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述。结果表明:黑硅材料的...
关键词：黑硅 微结构 反射率 
卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子对单晶硅的损伤
《稀有金属》2009年第6期879-883,共5页肖清华 王敬欣 
国家自然科学基金项目(60706001)资助
主要研究锗离子在77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果,并与室温注入情形予以对比。卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究。实验表明,冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著,反射率降低更为明显,意...
关键词：硅 锗 冷注入 损伤 卢瑟福背散射谱 红外干涉反射谱 
片状纳米硅的结构及发光性能表征
《稀有金属》2009年第2期217-222,共6页杨娟玉 卢世刚 肖清华 张向军 
国家高技术研究发展计划重大资助项目(2008AA11A103)
采用精密磨削加工工艺法制备了厚度为纳米级片状硅，以FESEM，HRTEM，EDS，SEAD及XRD等分析手段对片状纳米硅的形貌、结构及组分进行分析和表征。结果表明，所制得的片状纳米硅为纳米级片状结构，片平均厚度为10～15nm，具有立方金刚石...
关键词：纳米硅 精密磨削加工 光致发光 表征 
Si片磨削中砂轮粒径对Si片损伤层的影响被引量：1
《半导体技术》2008年第12期1091-1094,共4页唐兴昌 肖清华 周旗钢 闫志瑞 
在直径300 mm Si片制备中,利用双面磨削技术能为后续加工提供高精度的表面,但Si片损伤层厚度较大。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜对Si片表面及截面进行观察,得到了经不同粒径的砂轮磨削后的Si片的表面及截面形貌、Si片的表面及亚...
关键词：硅片 双面磨削 表面损伤 亚表面损伤 
300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化被引量：7
《稀有金属》2007年第6期737-741,共5页黄军辉 周旗钢 万关良 肖清华 库黎明 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)资助
通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计...
关键词：双面化学机械抛光 轨迹模拟 非均匀性 DSP 
掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
《稀有金属》2007年第6期746-749,共4页韩海建 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)资助
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的vo...
关键词：300mm 流动图形缺陷 氧化诱生层错环 掺氮 
300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析被引量：2
《稀有金属》2007年第5期585-589,共5页高宇 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)
采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方...
关键词：热应力 模拟 300 MM 硅单晶 
Si/SiGe异质结构的硅盖层中应变对Raman谱特征的影响被引量：3
《光谱学与光谱分析》2005年第5期719-722,共4页肖清华 屠海令 
北京有色金属研究总院创新基金(C0236687)
应变Si/SiGe异质结构通过大剂量Ge离子注入并结合高温快速热退火制备而成。325nm波长的紫外激光被用于调查应变Si盖层的Raman谱特征。实验发现,硅盖层中的张应变导致硅的520cm-1的一级拉曼散射峰向低频方向偏移,峰的偏移程度反映硅盖层...
关键词：Si SICE 异质结构 应变 RAMAN谱 
低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1437-1441,共5页肖清华 屠海令 
大剂量 (4× 10 1 6 cm- 2 )的 Ge离子在 77K低温下被注入于 (10 0 )硅片中 ,并结合随后的 10 80℃快速热处理(RTP)以形成 Si/ Si Ge异质结构 .用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后 Ge的分布 .结果表明 ,快速热...
关键词：硅锗合金 低温离子注入 快速热处理 卢瑟福背散射技术 二次离子质谱技术 
注氢(111)硅片高温退火后形成的二次缺陷
《中国科学（G辑）》2004年第3期319-324,共6页肖清华 屠海令 
北京有色金属研究总院技术创新基金资助项目(批准号: C-00-3-6601)
硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面. 高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷. 实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹, 但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发...
关键词：氢杂质 注氢硅片 高温退火 二次缺陷 位错发射 半导体材料 
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