韩海建

作品数：2被引量：5H指数：1
导出分析报告
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：单晶硅氧化诱生层错掺氮氮元素直拉单晶硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《稀有金属》更多>>
所获基金：国际科技合作与交流专项项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响被引量：5
《稀有金属》2009年第2期223-226,共4页韩海建 周旗钢 戴小林 
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内...
关键词：掺氮 300 MM 氧化诱生层错(OSF) 直拉单晶硅 
掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
《稀有金属》2007年第6期746-749,共4页韩海建 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)资助
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的vo...
关键词：300mm 流动图形缺陷 氧化诱生层错环 掺氮 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部