流动图形缺陷

作品数：9被引量：13H指数：2
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Ar气氛下快速退火对CZ-Si单晶中FPD的影响
《半导体技术》2008年第8期691-693,共3页乔治 李同锴 刘彩池 冀建利 张彦立 
国家自然科学基金资助项目(506225518)
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火...
关键词：快速退火 流动图形缺陷 空洞型缺陷 
掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
《稀有金属》2007年第6期746-749,共4页韩海建 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)资助
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的vo...
关键词：300mm 流动图形缺陷 氧化诱生层错环 掺氮 
重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示被引量：2
《材料科学与工程学报》2006年第2期212-214,共3页方敏 杨德仁 马向阳 阙端麟 
国家自然科学基金(50072019);国家杰出青年基金(50225210)资助项目
本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间。此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨。
关键词：直拉单晶硅 重掺硼 FPD 
CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究被引量：2
《半导体技术》2006年第4期257-259,共3页乔治 刘彩池 张彦立 史严 
国家自然科学基金资助项目(60076001);河北省自然科学基金(50032101)
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其...
关键词：CZ-SI 流动图形缺陷(FPDs) 空洞型缺陷 
快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第1期73-77,共5页张建强 刘彩池 周旗钢 王敬 郝秋艳 孙世龙 赵丽伟 滕晓云 
国家自然科学基金(批准号:60076001;50032010);天津市自然科学基金;河北省自然科学基金资助项目~~
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2...
关键词：CZSI 空洞型微缺陷 流动图形缺陷 快速热处理 MDZ 
高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
《物理学报》2005年第10期4863-4866,共4页郝秋艳 刘彩池 孙卫忠 张建强 孙世龙 赵丽伟 张建峰 周旗钢 王敬 
国家自然科学基金(No.60076001;50032010);天津市自然科学基金;河北省自然科学基金;河北省教育厅基金资助的课题.~~
对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并...
关键词：重掺锑硅单晶 快速退火(RTA) 流动图形缺陷(FPDs) 空洞缺陷 快速退火工艺 硅单晶 微缺陷 掺锑 高温 图形 
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响被引量：1
《人工晶体学报》2004年第5期747-750,共4页郝秋艳 乔治 张建峰 任丙彦 李养贤 刘彩池 
国家自然科学基金(No.60076001;No.50032010)河北省自然科学基金资助项目(No.502061)
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原...
关键词：快速退火 原生微缺陷 流动图形缺陷 原子力显微镜 直拉硅单晶片 
直拉硅单晶中的流动图形缺陷被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第1期60-63,共4页刘彩池 乔治 周旗钢 王敬 郝秋艳 张建峰 李养贤 任丙彦 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 760 0 1;5 0 0 3 2 0 10 );河北省自然科学基金资助项目~~
用 Secco腐蚀液对直径 15 0 mm p型 (10 0 )直拉硅单晶片进行择优腐蚀后 ,得到了流动图形缺陷 (FPDs) ,并通过原子力显微镜 (AFM)对其微观结构进行观察 .实验发现 ,在 FPDs缺陷的尖端存在有几百纳米的由 (111)面构成的八面体空洞 ,这与 ...
关键词：直拉硅单晶 FPDS 空洞 原子力显微镜 
硅中的缺陷和硅片热处理被引量：3
《上海有色金属》2000年第4期171-176,共6页闵靖 邹子英 
本文评述了近年来着重研究的COP、LSTD、FPD和BMD等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷 ,提高GOI合格率的实验结果。研究表明 ,硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。
关键词：晶体原生颗粒缺陷 流动图形缺陷 硅片 热处理 
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