高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响  

Effect of high temperature rapid thermal annealing on flow pattern defects in heavily Sb-doped CZSi

作　　者：郝秋艳[1] 刘彩池[2] 孙卫忠[2] 张建强[2] 孙世龙[2] 赵丽伟[2] 张建峰[2] 周旗钢[3] 王敬[3] 

机构地区：[1]天津大学电信学院,天津300072 [2]河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130 [3]北京有色金属研究总院,北京100088

出　　处：《物理学报》2005年第10期4863-4866,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(No.60076001;50032010);天津市自然科学基金;河北省自然科学基金;河北省教育厅基金资助的课题.~~

摘　　要：对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.Flow pattern defects（FPDs） in as-grown and rapid thermal annealed heavily Sb-doped silicon wafers was investigated. The experimental results show that the density of FPDs can be reduced after high temperature annealing, and H2 is the most effective annealing atmosphere. The mechanism of elimination of FPDs is also discussed from the relationship between heavily doping Sb and interstitial oxygen concentration. The heavily doping Sb influences not only the distribution of initial oxygen concentration in CZSi wafer, but also the formation and heat behavior of grown-in void defects.

关 键 词：重掺锑硅单晶 快速退火(RTA) 流动图形缺陷(FPDs) 空洞缺陷 快速退火工艺 硅单晶 微缺陷 掺锑 高温 图形 

分 类 号：O77[理学—晶体学]