云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- CZSI

CZSI: 作品数：22被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：张维连孙军生牛新环吕海涛蒋中伟更多>>; 相关机构：河北工业大学北京有色金属研究总院中南大学皖南医学院更多>>; 相关期刊：《功能材料与器件学报》《半导体杂志》《Science China Mathematics》《功能材料》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金天津市自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>

CzSi晶体生长传热特性的数值研究: 《赣南师范学院学报》2014年第3期26-29,共4页张晶程桂平饶婷婷; 在提拉法晶体生长中,坩埚内的熔体受到多种驱动力的作用,主要包括:由熔体内部温差驱动的浮力、自由表面温度梯度导致的热毛细力、坩埚和晶体旋转产生的离心力和科里奥力,因而坩埚内的熔体流动表现出复杂的非线性流动状态.通过数值计算,...; 关键词：晶体生长对流数值模拟

Φ200mm CZSi复合式热场的数值模拟研究被引量：2: 《稀有金属》2008年第2期161-164,共4页任丙彦李洪源张燕张兵郭贝; 国家自然科学基金(60576002)资助项目; 对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响,为提高晶体生长速率和...; 关键词：CZSI 热场有限元双加热器热对流

掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响: 《南开大学学报（自然科学版）》2006年第6期64-67,共4页郝秋艳孙文秀刘彩池张建强姚素英; 河北省自然科学基金(E2005000057);天津市自然科学基金(043602511);河北省教育厅基金(2004311); 研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,...; 关键词：CZSI 空洞型微缺陷 FPDS 快速热处理

Study on release rate of latent heat in Czochralski silicon growth被引量：1: 《Rare Metals》2006年第z2期51-54,共4页REN Bingyan YANG Jiankun LI Yanlin LIU Xiaoping WANG Minhua; This project was financially supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576002).; The pulling rate in czochralski silicon (CZSi) growth is important for reducing the cost of solar cell. In this paper, double-heater, heat shield and composite argon duct system were introduced in the Ф450 mm hot zon...; 关键词：CZSI latent heat double-heater heat shield numerical simulation

Effects of argon gas flow rate and guide shell on oxygen concentration in Czochralski silicon growth被引量：3: 《Rare Metals》2006年第1期7-10,共4页REN Bingyan ZHAO Long ZHAO Xiuling WANG Huixian CAO Zhongqian ZHU Huimin FU Hongbo; This project is financially supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60576002).; φ200 mm silicon single crystals were grown in the φ450 mm hot zone of a Czochralski （CZ） furnace. By modifying the pattern and the velocity of the argon flow, the silicon single crystals with different oxygen conc...; 关键词：inorganic non-metal material CZSI numerical simulation guide shell oxygen concentration

快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第1期73-77,共5页张建强刘彩池周旗钢王敬郝秋艳孙世龙赵丽伟滕晓云; 国家自然科学基金(批准号:60076001;50032010);天津市自然科学基金;河北省自然科学基金资助项目~~; 研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2...; 关键词：CZSI 空洞型微缺陷流动图形缺陷快速热处理 MDZ

CZSiGe单晶的FTIR光谱研究: 《功能材料与器件学报》2005年第1期23-27,共5页蒋中伟张维连牛新环张书玉; 国家自然科学基金(No.59772037);河北省自然科学基金(No.500016)资助项目; 利用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的低温和常温红外吸收光谱。发现高浓度Ge掺入CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为1118cm-1、710cm-1和800cm-1的新红外吸收峰,这些峰的吸收强度随Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰...; 关键词：CZ法 SiGe单晶红外光谱

掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性被引量：1: 《人工晶体学报》2004年第5期792-796,共5页张维连牛新环吕海涛张恩怀孙军生; 河北省自然科学基金(No.500016)国家自然科学基金(No.59772037)资助项目; 用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高...; 关键词：半导体材料硅锗体单晶红外光谱特性 FTIR谱图

掺锗CZSi禁带宽度的变化被引量：1: 《功能材料》2004年第z1期3360-3363,共4页牛新环张维连吕海涛蒋中伟王雅欣; 国家自然科学基金资助项目(59772037) ;河北省自然科学基金资助项目(500016); 采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了...; 关键词：直拉法晶体生长 SiGe体单晶禁带宽度

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2002年第10期1073-1077,共5页张维连李嘉席陈洪建孙军生张建新张恩怀赵红生; 河北省自然科学基金 (批准号 :5 0 0 0 16 );国家自然科学基金 (批准号 :5 9772 0 37)资助项目~~; 利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺 ,生长了直径为 6 0、5 0和 40mm ,掺锗量为 0 1%和 0 5 % (锗硅重量比 )的锗硅单晶 .利用化学腐蚀 ...; 关键词：掺锗直拉硅氧沉淀分凝晶体缺陷 CZ法

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