掺锗CZSi禁带宽度的变化  

The variety of Ge-doped CZSi band gaps

作　　者：牛新环[1] 张维连[1] 吕海涛[1] 蒋中伟[1] 王雅欣[1] 

机构地区：[1]河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130 河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130 河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130 河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130 河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3360-3363,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(59772037) ;河北省自然科学基金资助项目(500016)

摘　　要：采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.

关 键 词：直拉法 晶体生长 SiGe体单晶 禁带宽度 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]