吕海涛

作品数：5被引量：22H指数：2
导出分析报告
供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
发文主题：掺锗CZSI直拉法锗晶体生长更多>>
发文领域：电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
发文期刊：《半导体技术》《功能材料》《河北工业大学学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性被引量：1
《人工晶体学报》2004年第5期792-796,共5页张维连 牛新环 吕海涛 张恩怀 孙军生 
河北省自然科学基金(No.500016)国家自然科学基金(No.59772037)资助项目
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高...
关键词：半导体材料 硅锗体单晶 红外光谱特性 FTIR谱图 
化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷被引量：11
《半导体技术》2004年第4期48-51,共4页吕海涛 张维连 左燕 步云英 
采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃...
关键词：化学腐蚀 蓝宝石单晶 位错缺陷 KOH腐蚀剂 金相显微镜 
基于双指数模型的太阳电池输出特性计算机模拟被引量：9
《太阳能学报》2004年第3期330-332,共3页张维连 赵红生 左燕 吕海涛 牛新环 蒋中伟 
以双指数形式太阳电池理论模型为基础,用实验数据拟合太阳电池的I—V特性。然后利用获得的重要待定参数的拟合值对太阳电池的I—V和P—V特性计算机模拟,并分析了它们对太阳电池性能的不同影响机制。
关键词：太阳电池 I-V曲线 双指数模型 计算机模拟 
掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究
《河北工业大学学报》2004年第1期1-5,共5页牛新环 张维连 吕海涛 蒋中伟 
国家自然科学基金资助项目 (59772037);河北省自然科学基金资助项目 (500016)
利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60～0.65.
关键词：直拉法 硅锗单晶 杂质分布 分凝系数 晶体生长 
掺锗CZSi禁带宽度的变化被引量：1
《功能材料》2004年第z1期3360-3363,共4页牛新环 张维连 吕海涛 蒋中伟 王雅欣 
国家自然科学基金资助项目(59772037) ;河北省自然科学基金资助项目(500016)
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了...
关键词：直拉法 晶体生长 SiGe体单晶 禁带宽度 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部