李嘉席

作品数:6被引量:19H指数:3
导出分析报告
供职机构:河北工业大学更多>>
发文主题:晶体生长多层布线抛光液抛光技术更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《河北工业大学学报》《电子工业专用设备》《材料研究学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究被引量:5
《电子工业专用设备》2007年第10期17-21,共5页刘玉岭 李嘉席 檀柏梅 梁存龙 
提出了在碱性浆料中ULSI多层布线导体铜化学机械抛光的模型,对铜CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。
关键词:化学机械抛光 多层布线 甚大规模集成电路 铜浆料(抛光液) 
掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀被引量:2
《Journal of Semiconductors》2002年第10期1073-1077,共5页张维连 李嘉席 陈洪建 孙军生 张建新 张恩怀 赵红生 
河北省自然科学基金 (批准号 :5 0 0 0 16 );国家自然科学基金 (批准号 :5 9772 0 37)资助项目~~
利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺 ,生长了直径为 6 0、5 0和 40mm ,掺锗量为 0 1%和 0 5 % (锗硅重量比 )的锗硅单晶 .利用化学腐蚀 ...
关键词:掺锗直拉硅 氧沉淀 分凝 晶体缺陷 CZ法 
第三代半导体材料生长与器件应用的研究被引量:7
《河北工业大学学报》2002年第2期41-51,共11页李嘉席 孙军生 陈洪建 张恩怀 
着重论述了以 SiC和GaN为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况.分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料,介绍了制备引SiC和GaN单晶的方法.分析了SiC和GaN器件工艺目前存在的问题和今...
关键词:第三代半导体材料 碳化硅 氮化镓 晶体生长 半导体器件 宽带隙半导体 SiC GAN 
锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响被引量:1
《河北工业大学学报》2001年第2期12-14,共3页张维连 孙军生 檀柏梅 李嘉席 
河北省自然科学基金资助项目!(500016)
利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度.发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成,降低热施主的形成速率和最大浓度,改善硅材料的内在质量,提高硅片的机械强度,以杂质量级掺...
关键词:热施主 热退火 机械强度 杂质氧 直拉单晶硅  
用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性被引量:3
《材料研究学报》2001年第4期455-458,共4页张维连 孙军生 张恩怀 李嘉席 吴小双 高树良 胡元庆 刘俊奇 
国家自然科学基金资助项目59772037.
用永磁体环形磁场直拉(PMCZ)炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅.在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布,可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏.在用PMCZ法...
关键词:热对流 氧杂质 单晶硅 电阻率 PMCZ炉 晶体生长 永磁场直拉炉 
ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究被引量:2
《半导体情报》2000年第5期41-45,61,共6页刘玉岭 李嘉席 檀柏梅 梁存龙 
提出了在碱性浆料中 UL SI多层布线导体铜化学机械抛光的模型 ,对铜 CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。
关键词:多层布线 甚大规模集成电路 浆料 抛光液 导体铜 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部