宽带隙半导体

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美国回应:开发金刚石半导体!
《超硬材料工程》2024年第6期10-10,共1页无 
近年来,全球半导体产业竞争日益激烈,尤其是围绕宽带隙和超宽带隙半导体的技术创新,已经成为各国科技战略的关键焦点。此前我国对关键材料进行出口管制让很多国家开始调整战略。据TOM'S HARDWARE报道,由于中国在宽带隙半导体材料—氮化...
关键词：高级研究计划局 管制措施 出口管制 半导体产业 宽带隙半导体 人造金刚石 美国国防部 军事装备 
14.5亿!安世半导体将新建8英寸SiC和GaN产线
《变频器世界》2024年第7期48-48,共1页
6月27日,半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布,计划投资2亿美元(约合人民币14.5亿元)开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等下一代宽带隙半导体(WBG),并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。同时,硅(Si)二极管和晶体管的晶圆厂产能也将增加。...
关键词：宽带隙半导体 半导体制造商 生产基础设施 GAN 晶圆厂 德国汉堡 安世 
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)谁是宽禁带(WBG)材料的未来?
《变频器世界》2022年第5期26-29,共4页
到目前为止,半导体材料已经过了三个发展阶段——第一代半导体是硅(Si),第二代半导体是砷化镓(GaAs),第三代半导体又称宽带隙半导体(WBG)则是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。
关键词：宽带隙半导体 半导体材料 宽禁带 第三代半导体 WB 三个发展阶段 
三元硫族半导体化合物K_(2)Zn_(3)S_(4)的制备与光学性质研究被引量：2
《苏州科技大学学报（自然科学版）》2021年第4期44-50,共7页彭涛 王能能 姜昱丞 赵蒙 姚金雷 
国家自然科学基金资助项目(21771136;51301116)。
通过助溶剂法生长出三元硫化物K_(2)Zn_(3)S_(4)单晶,晶体结构为中心对称的K_(2)Mn_(3)S_(4)型结构,空间群为单斜的P2/c。K_(2)Zn_(3)S_(4)的拉曼特征峰在284 cm^(-1)和315 cm^(-1)处,源于Zn-S键弯曲和伸展的振动模Ag。紫外-可见-近红...
关键词：助熔剂法 金属硫化物 硫族半导体 宽带隙半导体 
等价阴-阳离子共掺杂调节ZnO的能带结构及其光催化活性
《计算物理》2021年第3期371-378,共8页潘靖 沈国华 
Supported by the Natural Science Foundation of China(11774302);the Qinglan Project of Jiangsu Province of Yangzhou University。
采用等价阴-阳离子共掺的方法调节ZnO的能带结构,提高其光催化分解水制氢的效率。计算结果表明:等价阴-阳离子共掺不仅减小了ZnO的带隙,使其在可见光区域的光吸收增强,而且能有效抑制电子-空穴的复合,提高载流子迁移率。(Cd+Te)共掺杂的...
关键词：ZNO 光催化水分解 等价阴阳离子共掺 第一性原理计算 宽带隙半导体 
采用宽带隙半导体为下一代系统供电
《世界电子元器件》2021年第3期14-16,共3页Paul Lee 
降低能量损耗预计到2020年,全球电能需求将达到30拍瓦(petawatts)峰值[1],而在那之后还会进一步增加。电能来源可能是化石燃料或可再生能源,但无论如何,功率转换设备效率对于最大程度地降低成本和电能损耗至关重要。工业马达消耗了全球...
关键词：宽带隙半导体 电能损耗 能量损耗 电源转换器 可再生能源 系统供电 功率转换 数据中心 
碳化硅(Sic)迎来爆发 盘点今年1月份国外Sic的最新进展及技术
《半导体信息》2021年第1期3-4,共2页
新年伊始,在半导体领域,从工业界到学术界碳化硅(Sic)技术已经出现了许多头条新闻中。在过去几年中,宽带隙半导体的崛起已经得到了充分的证明。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等新型半导体材料提供了更高的速度、效率和工作条件,已被证明在...
关键词：半导体领域 宽带隙半导体 新型半导体 电力电子 头条新闻 碳化硅 电动汽车 最新进展 
美国将钻石用作超宽带隙半导体可高效为电网、电动汽车等供电
《新能源科技》2021年第1期37-37,共1页张菁 
在半导体行业,硅一直是电子设备领域的王者,但是已经达到了物理限制。据外媒报道,为了更高效地为电网、机车以及电动汽车供电,美国劳伦斯利佛莫尔国家实验室(Lawrence Livermore National Laboratory,LLNL)的科学家开始转而使用钻石,作...
关键词：宽带隙半导体 电动汽车 设备供电 半导体行业 载流子迁移率 电子设备 导电率 物理限制 
国产替代逻辑持续兑现第三代半导体站上风口
《变频器世界》2020年第11期49-49,共1页
第三代半导体也被称为宽带隙半导体,主要是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,可应用于光电、电力电子和微波射频等领城,其中,碳化硅目前主要是.用在650V以上的高压功率器件领域,而氮化镓主要是用在650V以下的中低压功率器...
关键词：宽带隙半导体 微波射频 半导体材料 电力电子 第三代半导体 人工智能 半导体研究 工业互联网 
AlN薄膜制备与表征研究型实验设计被引量：1
《实验科学与技术》2020年第3期118-122,共5页陶鹏程 梁红伟 夏晓川 黄火林 
大连理工大学教学改革基金(YB2018024,YB2019017)。
将科研成果转化为研究型本科实验教学内容,设计了不同极性AlN薄膜的制备及表征综合实验。采用金属有机化学气相沉积方法制备混合极性、N极性和Al极性的AlN薄膜,研究了不同极性对AlN薄膜表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明,将渐变组...
关键词：氮化铝薄膜 研究型实验 实验教学 宽带隙半导体 
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