碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)谁是宽禁带(WBG)材料的未来?  

出　　处：《变频器世界》2022年第5期26-29,共4页The World of Inverters

摘　　要：到目前为止,半导体材料已经过了三个发展阶段——第一代半导体是硅(Si),第二代半导体是砷化镓(GaAs),第三代半导体又称宽带隙半导体(WBG)则是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

关 键 词：宽带隙半导体 半导体材料 宽禁带 第三代半导体 WB 三个发展阶段 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]