14.5亿!安世半导体将新建8英寸SiC和GaN产线  

出　　处：《变频器世界》2024年第7期48-48,共1页The World of Inverters

摘　　要：6月27日,半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布,计划投资2亿美元(约合人民币14.5亿元)开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等下一代宽带隙半导体(WBG),并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。同时,硅(Si)二极管和晶体管的晶圆厂产能也将增加。这些投资是与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士在生产基地成立100周年之际共同宣布的。

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分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]