直拉单晶硅

作品数：87被引量：134H指数：6
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基于去趋势波动分析方法的直拉单晶硅拉速曲线研究
《计算机应用文摘》2024年第18期154-156,共3页汤辉 吴彦国 
直拉单晶硅的生长是半导体工业中的关键步骤,其过程具有动态连续性。提拉速度的波动直接影响最终产品的成品率和质量。在直拉单晶硅的等径生长过程中,稳定的提拉速度有助于提高晶体的质量;而提拉速度波动过大会导致晶体中出现原生缺陷,...
关键词：单晶硅 拉速 MATLAB 去趋势波动分析 
导流筒的底部结构对直拉单晶硅氧含量的影响被引量：1
《新技术新工艺》2024年第3期63-66,共4页王新强 景华玉 王小亮 刘利国 周涛 万军军 张正 
采用STR公司研发的专业晶体生长软件CGSim,对热场内的导流筒部件的底部结构进行优化。研究了导流筒底部的两个结构:一是导流筒底部水平结构长度(X值);二是导流筒底部结构倾斜长度(Y值)。研究结果表明,通过调整导流筒底部的结构,改变了...
关键词：导流筒 氧杂质 生长界面 分凝 自由液面 
隔热环的位置对直拉单晶硅氧含量的影响
《新技术新工艺》2024年第1期73-76,共4页王新强 景华玉 王小亮 刘利国 周涛 万军军 张正 
创新平台(基地)科技计划项目(XM2022BT11)
应用STR公司研发的专业晶体生长软件CGSim对单晶炉内热场结构进行优化。结果表明,通过在主加热器下部安装隔热环,可有效降低熔体底部的温度,减弱熔体内的对流强度,降低熔体与石英坩埚反应的程度,减少氧杂质传输分凝到晶棒的氧含量。另外...
关键词：隔热环 器环距 熔体对流 分凝 氧含量 
直拉单晶硅中的缺陷形成机理及控制方法被引量：2
《山东化工》2023年第17期101-103,106,共4页芮阳 王黎光 熊欢 曹启刚 闫龙 杨少林 
2022年宁夏回族自治区重点研发计划项目(2022BFE02007);2022年银川市校企联合创新专项重大重点项目(2022XQZD007)。
半导体级单晶硅作为半导体产业链中的重要原材料,其杂质、缺陷等品质对电子器件和集成电路的性能起着至关重要的作用。单晶硅生长和加工过程都不可避免地会形成各种缺陷。鉴于直拉法是目前主流的单晶硅制造方法,针对直拉法半导体级单晶...
关键词：直拉法 半导体级单晶硅 缺陷 形成机理 控制方法 
横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制被引量：1
《人工晶体学报》2023年第9期1641-1650,共10页王黎光 芮阳 盛旺 马吟霜 马成 陈炜南 邹啟鹏 杜朋轩 黄柳青 罗学涛 
宁夏回族自治区重点研发计划(2022BFE02007);深圳市基础研究面上项目(JCYJ20210324121813037)。
利用ANSYS有限元软件分析了横向磁场下不同坩埚转速对200 mm半导体级直拉单晶硅的流场及氧浓度的影响。研究结果表明:在横向磁场下,硅熔体的流场和氧浓度分布呈三维非对称性,熔体对流形式主要包括泰勒-普劳德曼漩涡、浮力-热毛细漩涡及...
关键词：ANSYS有限元分析 200 mm半导体级单晶硅 直拉法 坩埚转速 流场 氧浓度 
直拉单晶硅生长中的碳污染
《广东化工》2023年第10期90-91,112,共3页王大海 邓昌联 
直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面。碳的污染可通过形成碳诱导缺陷导致硅晶片退化。因此,本文聚焦硅晶体生长过程,探索碳迁移机制和减少碳污染的方法。坩埚和基座之间的接触反应是一氧化硅和一氧化碳的来源。在熔炼...
关键词：直拉法 单晶硅 碳污染 接触反应 反向扩散 
高拉速对Ф300 mm单晶硅点缺陷分布及生产能耗的影响被引量：2
《人工晶体学报》2023年第4期562-570,共9页徐尊豪 李进 何显 安百俊 周春玲 
国家自然科学基金(51962030);直拉法单晶硅低能耗关键制备技术研究(2022XQZD006)。
大尺寸直拉单晶硅的“增效降本”是当前光伏企业急需解决的问题。本文采用有限元体积法对Ф300 mm直拉单晶硅生长过程分别进行稳态和非稳态全局模拟,研究提高拉晶速率对直拉单晶硅生长过程中的固液界面、点缺陷分布以及生长能耗的影响...
关键词：直拉单晶硅 有限元体积法 拉晶速率 固液界面 点缺陷 生产能耗 
基于不同位置掺硼直拉单晶硅片的PERC电池的原位光衰及电注入复原被引量：1
《中山大学学报（自然科学版）（中英文）》2023年第1期115-123,共9页丁思琪 覃诚 杨宸 艾斌 
国家自然科学基金(61774171)。
将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒,从头至尾间隔一定距离切割出5组硅片,采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERC,passivated emitter and rear cell),然后对其进行了暗退火(200℃,3...
关键词：PERC电池 光致衰减 电注入复原 B-O缺陷 
关于热辐射反射环优化直拉单晶硅生长的模拟研究被引量：1
《科学技术创新》2022年第10期49-52,共4页王利伟 
基于对CZ法单晶硅生长热物理过程的分析,本文针对其传热过程进行优化,创造性的提出可以提高直拉单晶生长速度的热辐射反射环。通过CGSim软件的长晶模拟研究,证明反射环结构具有较好的优化单晶棒传热的效果。本文中模拟研究的案例显示,...
关键词：CZ(Czochralski)法 单晶硅生长 热辐射 反射环 CGSim 
直拉单晶硅晶体缺陷研究进展被引量：1
《微纳电子与智能制造》2022年第1期64-74,共11页刘赟 薛忠营 魏星 李炜 
直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,...
关键词：直拉单晶硅 v/G理论 表征方法 
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