重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示  

Delineation of Flow Pattern Defects in Heavily Boron-doped Czochralski Silicon Wafer

作　　者：方敏[1] 杨德仁[1] 马向阳[1] 阙端麟[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料科学国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《材料科学与工程学报》2006年第2期212-214,共3页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金(50072019);国家杰出青年基金(50225210)资助项目

摘　　要：本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间。此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨。Through a series of experiments performed on the delineation of flow pattern defects （FPDs） in heavily Boron-doped Czochralski （CZ） silicon wafer, a modified Secco Etchant was obtained and the appropriate etching time was defined. Moreover, the mechanism for the delineation of FPDs in CZ silicon wafer was discussed.

关 键 词：直拉单晶硅 重掺硼 FPD 

分 类 号：TN301.2[电子电信—物理电子学]