直拉硅单晶中的流动图形缺陷  

Flow Pattern Defects in Czochralski Silicon Crystals

作　　者：刘彩池[1] 乔治[1] 周旗钢[2] 王敬[2] 郝秋艳[1] 张建峰[1] 李养贤[1] 任丙彦[1] 

机构地区：[1]河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130 [2]北京有色金属研究总院,北京100088

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第1期60-63,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 0 760 0 1;5 0 0 3 2 0 10 );河北省自然科学基金资助项目~~

摘　　要：用 Secco腐蚀液对直径 15 0 mm p型 (10 0 )直拉硅单晶片进行择优腐蚀后 ,得到了流动图形缺陷 (FPDs) ,并通过原子力显微镜 (AFM)对其微观结构进行观察 .实验发现 ,在 FPDs缺陷的尖端存在有几百纳米的由 (111)面构成的八面体空洞 ,这与 Takeno等人的实验结果相反 ,他们认为 FPD的端部是间隙型的位错环 ;实验还发现 。s:The flow pattern defects (FPDs) in 150mm in diameter p-type Czochralski silicon are revealed by Secco etchant,and the structures of FPDs are studied by the method of atomic force microscope (AFM).A little octahedron void surrounded by {111} planes is observed on the tip of the FPDs,which contrasts with the results that the FPDs are interstitial type concluded by Takeno et al.Moreover,the octahedron voids will change to shallow orbicular pit and disappear at last if the etching time is prolonged.

关 键 词：直拉硅单晶 FPDS 空洞 原子力显微镜 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]