云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- CZ-SI

CZ-SI: 作品数：29被引量：20H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：黄海宾张维连龚洪勇周浪杨帅更多>>; 相关机构：河北工业大学南昌大学北京科技大学西安理工大学更多>>; 相关期刊：《Science Bulletin》《World Journal of Condensed Matter Physics》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家教育部博士点基金天津市自然科学基金更多>>

HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiO_x:H)钝化n-Cz-Si研究被引量：1: 《真空科学与技术学报》2019年第6期519-523,共5页何玉平袁贤刘宇刘宁黄海宾; 江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ171010);江西省青年科学基金项目(20171BAB216014); HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片。本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx:H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx:H的工艺参数并分析...; 关键词：a-SiOx:H 热丝化学气相沉积少子寿命 SiH键 SiH2键

P型Cz-Si太阳能电池光致再生技术: 《工业技术创新》2018年第1期1-4,共4页豆维江李小玄王宝磊郑新霞; 对P型Cz-Si太阳能电池进行光致再生(LIR)测试,探寻抑制光致衰减(LID)效应的解决方案。选取A、B组电池样品各4片,在230℃下,A组分别采用[1,10,20,30]k W/m^2的光照功率进行10 s的LIR处理、B组采用20 k W/m^2的光照功率分别进行[10,20,30,...; 关键词：P型Cz-Si太阳电池光致衰减光致再生 BO复合体少子寿命

High-quality industrial n-type silicon wafers with an efficiency of over 23% for Si heterojunction solar cells被引量：3: 《Frontiers in Energy》2017年第1期78-84,共7页Fanying MENG Jinning LIU Leilei SHEN Jianhua SHI Anjun HAN Liping ZHANG Yucheng LIU Jian YU Junkai ZHANG Rui ZHOU Zhengxin LIU; n-type CZ-Si wafers featuring longer minority carrier lifetime and higher tolerance of certain metal contamination can offer one of the best Si-based solar cells. In this study, Si heterojuction （SHJ） solar cells wh...; 关键词：n-type Cz-Si thinner wafer surface texture high efficiency SHJ solar cell

低速率沉积非晶硅薄膜钝化Cz-Si片的研究被引量：2: 《太阳能学报》2015年第3期529-533,共5页龚洪勇黄海宾高江周浪; 江西省赣鄱英才555计划(201110);教育部博士点基金(20113601120006);国家自然科学基金(61306084); 采用PECVD法在低沉积速率(<1?/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压i Voc达722 m V。对FTIR测试结果分析表明:非晶硅...; 关键词：氢化非晶硅 PECVD 低沉积速率钝化

α-SiO_x∶H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析被引量：4: 《功能材料》2014年第9期101-103,共3页黄海宾张东华汪已琳龚洪勇高江 Wolfgang R.Fahrner 周浪; 国家自然科学基金资助项目(61306084);教育部博士点基金资助项目(20113601120006); 氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的...; 关键词：氢化非晶氧化硅 PECVD 硅片表面钝化空位浓度氢含量

商业化高效浅结Cz-Si太阳电池: 《太阳能学报》2012年第9期1480-1484,共5页吴琴赵枫万青李华维黄岳文; 采用轻掺杂、浅结工艺,将发射极方块电阻控制在60Ω/□,基于国产生产线的常规工艺,获得了平均效率为17.8%的商业化Cz-Si太阳电池。如果将发射极方块电阻控制在80Ω/□,结合密栅和新型浆料,产业化电池的平均效率可达18%。; 关键词：Cz—Si 太阳电池高效浅结

Dimers as Fast Diffusing Species for the Aggregation of Oxygen in Boron-Doped Czochralski Silicon: Formation of New Thermal Donors: 《World Journal of Condensed Matter Physics》2012年第3期165-170,共6页Besma Moumni Abdelkadr Ben Jaballah Selma Aouida Brahim Bessais; gratefully thank the Tunisian Ministry of Higher Education and Scientific Research for the financial support.; The thermal behaviors of oxygen-related complexes in boron doped Czochralski Silicon (Cz-Si) wafers at 450°C and 800°C were investigated using Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and Hall mobility measure...; 关键词：Cz-Silicon Infrared Spectroscopy Interstitial Oxygen Thermal Donors Oxygen Vacancies Oxygen Dimers Oxygen Aggregation

多对流耦合环境下Cz-Si固液界面形态的仿真方法及控制参数研究被引量：3: 《人工晶体学报》2012年第6期1762-1767,共6页姜雷刘丁赵跃刘志尚; 国家科技重大专项(2009ZX02011001);国家自然科学基金(61075044); 固液界面形态是各种晶体生长研究的关键,固液界面形态问题是一个移动边界问题。然而在Cz-Si系统中,移动边界问题又与对流耦合,尤其是与晶体旋转所引起的强迫对流直接耦合,构成了含有第三方耦合因素的移动边界问题。本文提出一种基于FVM...; 关键词：直拉硅单晶固液界面形态迭代法移动边界

Numerical simulation of effects of cusp magnetic field on oxygen concentration of 300 mm CZ-Si被引量：1: 《Rare Metals》2012年第5期494-499,共6页WANG Yongtao XU Wenting DAI Xiaolin XIAO Qinghua DENG Shujun YAN Zhirui ZHOU Qigang; supported by the Major National Science & Technology Program of China(No.2009ZX02011); In magnetic Czochralski (MCZ) silicon growth, the distance and diameter of the electrified coils may affect the magnetic field intensity and melt flow. By changing the above parameters, the optimum geometric configura...; 关键词：Computer simulation Magnetic fields SILICON

Infrared studies of oxygen-related complexes in electron-irradiated Cz-Si: 《Chinese Physics B》2009年第7期2988-2991,共4页陈贵锋阎文博陈洪建崔会英李养贤; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50872028);Natural Science Foundation of Hebei Province of China (Grant Nos E200500048 and E2008000079);Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No 20050080006); This paper investigates the infrared absorption spectra of oxygen-related complexes in silicon crystals irradiated with electron （1.5 MeV） at 360 K.Two groups of samples with low [Oi] = 6.9 x 10^17 cm^-3 and high [O...; 关键词：electron irradiation CZ-SI defect complex annealing processes

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