云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- PECVD

PECVD: 作品数：718被引量：1141H指数：13; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：陈强杭凌侠张冬洪克超徐宝利更多>>; 相关机构：中国科学院湖南红太阳光电科技有限公司北京印刷学院电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

PECVD进气盖板结构对腔室温度场影响规律研究: 《真空科学与技术学报》2025年第2期132-137,共6页齐熙展田凤杰崔雨; 半导体薄膜沉积技术中反应腔室的温度控制直接影响晶圆沉积薄膜的质量与精度,为了良好实现在工艺过程中腔室温度的准确性和一致性,进行了腔室的重要部件进气盖板结构对温度场的影响特点及规律的研究。对进气盖板进行了结构拓扑设计、以...; 关键词：芯片制造反应腔室温度控制机构设计

GaInP/GaAs/Ge太阳电池边缘Si_(3)N_(4)钝化研究: 《电源技术》2024年第12期2528-2531,共4页许军孙希鹏韩宇赵拓铁剑锐肖志斌; GaInP/GaAs/Ge太阳电池相比于Si基、CIGS、CdTe等材料具有更高的光电转换效率,结构材料具有少子寿命短、复合速率快的特点。电池在加工过程中边缘侧截面会产生大量缺陷,同时表面悬挂键造成态密度增加,表面光生少数载流子复合对光电转换...; 关键词：PECVD 光刻湿法刻蚀侧截面光电转换效率

基于复合过渡层的DLC涂层残余热应力仿真分析: 《材料热处理学报》2024年第11期224-233,共10页黄珂顾德华邵思武乔自平李君安陈良贤刘金龙李成明魏俊俊; 利用ANSYS软件热固耦合模块对类金刚石(DLC)涂层的残余热应力进行有限元分析,模拟等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备DLC涂层从沉积温度150℃降温至22℃的过程,研究不同DLC厚度、过渡层(Cr、WC)结构及过渡层厚度对DLC涂层残余热应力...; 关键词：等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 类金刚石(DLC) 复合过渡层 ANSYS 残余热应力

150℃/105 MPa全通径可溶堵塞器研制与应用: 《天然气技术与经济》2024年第5期23-28,共6页何明格张明友袁艺绮杨川琴王伟; 为了满足带压完井作业对于内封堵工具不断升级的可靠性与效能需求,以全通径可溶堵塞器为研发对象,分析了工具承压关键结构与耐温性能的关键因素,提出了一种解决高压应力集中与材料安全强度矛盾的设计思路。研究结果表明:(1)通过CAD/CAE...; 关键词：气藏高效开发带压作业内封堵工具可溶堵塞器镁合金井屏障 PECVD

化学气相沉积Cr/DLC薄膜对Mg-Gd-Y合金耐蚀性能的改善: 《材料保护》2024年第10期126-133,共8页何明格刘文博杨柳青贺秋云张明友袁艺绮杨川琴何博; Mg-Gd-Y合金作为一种优秀工程材料在石油天然气勘探开发中具有广泛应用。为了改善其在井下工作服役时的耐蚀性能,研究了以Cr为过渡层的类金刚石薄膜(DLC)对Mg-Gd-Y合金耐蚀性能的影响。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了以C...; 关键词：镁合金 Cr/DLC膜层耐蚀性能 PECVD

高能N等离子源辅助GaN薄膜生长及其物性研究: 《光电子．激光》2024年第9期987-992,共6页胡海争贺怀乐赖黎王顺利吴超郭道友; 国家自然科学基金(62274148);浙江省教育厅一般项目(23060158-F)资助项目。; 氮化镓(GaN)具有宽带隙、高量子效率、优异的热稳定和抗辐射等特性,在高频、高功率电子及紫外光电器件中有着重要的作用。在本工作中,采用经济、环保的等离子增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)方法,...; 关键词：等离子增强化学气相沉积(PECVD) GAN薄膜低温沉积 N等离子体

PERC背钝化工艺卡点位置缺陷导致EL不良研究: 《太阳能学报》2024年第8期385-390,共6页张福庆李文涛张若凡胡明强张朔龙; 以二合一管式PECVD背钝化镀膜工艺过程中出现的石墨舟空心卡点EL发黑品质异常为研究对象,分析讨论二合一管式PECVD背钝化工艺中射频功率、工艺温度、氧化铝沉积厚度等对晶硅太阳电池空心卡点EL发黑品质异常的影响。结果表明,在二合一管...; 关键词：太阳电池 EL发黑背钝化预淀积二合一管式PECVD 卡点钝化缺陷

TRIZ方法在PECVD设备流热场改进中的应用: 《科学技术创新》2024年第17期9-12,共4页张肃张凯; PECVD是太阳能电池加工过程中的重要设备,其内部热流场的均匀性对太阳能电池表面薄膜的均匀性影响很大。本文使用TRIZ(发明问题解决理论)对PECVD设备的热流场进行分析,提出TRIZ可作为流体仿真的重要补充。同时提出流热场问题不仅涉及流...; 关键词：PECVD 太阳能电池热流场 TRIZ 流分析功能导向搜索(FOS)

PECVD Si_(3)N_(4)薄膜淀积工艺: 《电子工艺技术》2024年第4期48-50,共3页ZHANG Qi 张奇刘婷婷韩孟序商庆杰宋洁晶; 采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备氮化硅(Si_(3)N_(4))薄膜作为光电器件的重要介质膜,其性能好坏直接影响器件的性能。淀积的Si_(3)N_(4)薄膜主要用作光电探测器的扩散膜和增透膜,击穿电压是该器件中比较重要的测试参数。应力、...; 关键词：PECVD Si_(3)N_(4) 应力击穿电压

Surface plasmon decorated InGaO deep-UV photodetector array for image sensing and water quality monitoring via highly effective hot electron excitation and interfacial injection: 《Science China(Technological Sciences)》2024年第8期2449-2460,共12页SHU LinCong SHA ShuLin XI ZhaoYing LI Lei YAO SuHao ZHANG JiaHan JI XueQiang ZHANG ShaoHui BIAN Ang JIANG MingMing GUO YuFeng TANG WeiHua LIU Zeng; supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2022YFB3605404);the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.62204125);the Joint Funds of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.U23A20349);the Natural Science Research Start-up Foundation of Recuring Talents of Nanjing University of Posts and Telecommunications(Grant Nos.XK1060921115 and XK1060921002);Postgraduate Research&Practice Innovation Program of Jiangsu Province(Grant No.SJCX23_0300)。; In addition to the plasmon-mediated resonant coupling mechanism,the excitation of hot electron induced by plasmon presents a promising path for developing high-performance optoelectronic devices tailored for various a...; 关键词：InGaO PECVD surface plasmon solar-blind UV photodetector array optoelectronic applications

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