低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布  

Redistribution of Ge Incorporated into Silicon Through Cryogenic Implantation After RTP

作　　者：肖清华[1] 屠海令[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1437-1441,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：大剂量 (4× 10 1 6 cm- 2 )的 Ge离子在 77K低温下被注入于 (10 0 )硅片中 ,并结合随后的 10 80℃快速热处理(RTP)以形成 Si/ Si Ge异质结构 .用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后 Ge的分布 .结果表明 ,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长 ,表层形成合金层 ,而且导致 Ge向表面的质量运输 .最终出现平台式的 Ge分布形态 .快速热处理后 Ge这种再分布被认为有利于提高silicon wafers are implanted with Ge +(4×10 16cm -2) of high dose at cryogenic temperture as 77K and annealed at 1080℃ by RTP to synthesize Si/SiGe heterostructure.The Ge profiles before and after RTP are evaluated by Rutherford backscattering and channeling spectroscopy(RBS) and secondary ions mass spectroscopy(SIMS).The result after RTP shows that,the surface amorphous layer recover crystllinity by solid phase epitaxial growth and SiGe alloy layer forms,while mass transportation of Ge towards the surface occurs.Such redistribution of Ge after RTP may be in favor of increasing the gains of HBT and acquiring strained MOS-channel.

关 键 词：硅锗合金 低温离子注入 快速热处理 卢瑟福背散射技术 二次离子质谱技术 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]