云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 常青

常青: 作品数：13被引量：33H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>; 发文主题：硅单晶300MM硅片硅片晶体生长单晶更多>>; 发文领域：电子电信理学更多>>; 发文期刊：《微电子学》《中国材料进展》《稀有金属》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>

450mm IC级硅单晶的制备被引量：1: 《中国材料进展》2010年第10期21-24,共4页戴小林常青; 450mm直径的硅片面积比目前主流300mm硅片面积大2.25倍,是下一代半导体芯片的衬底。国外许多半导体设备和材料公司已联手开展这方面的研究工作。从技术和市场角度讨论分析了以下问题:①投料量和单晶收率的关系;②籽晶的承重;③设备安全...; 关键词：硅单晶 450mm直径硅片制备

黑硅制备技术及其应用的研究进展被引量：2: 《稀有金属》2010年第6期930-935,共6页徐文婷屠海令常青肖清华; 国家自然科学基金(60706001)资助项目; 基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述。结果表明:黑硅材料的...; 关键词：黑硅微结构反射率

快速退火气氛对硅片洁净区和表面形貌的影响: 《微电子学》2008年第4期477-480,共4页冯泉林王敬何自强常青周旗钢; 使用N2和N2／NH3混合气氛作为快速热退火（RTA）气氛，研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响。在N2／NH3混合气氛下，RTA处理后，硅片表面出现小坑，同时，微粗糙度增加，后续热处理工艺中会出现薄的洁净区（～10μm）和...; 关键词：单晶硅片洁净区氧沉淀内吸杂快速热退火

300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析被引量：9: 《微电子学》2008年第3期373-376,共4页库黎明闫志瑞索思卓常青周旗钢; 国家高技术研究发展(863)计划"十五重大专项"基金资助项目(2002AA3Z1110); 建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘...; 关键词：300 mm硅片双面抛光数学模拟轨迹平整度

Effect of Rapid Thermal Annealing Ambient on Gettering Efficiency and Surface Microstructure in 300mm CZ Silicon Wafers: 《Journal of Semiconductors》2008年第5期822-826,共5页冯泉林何自强常青周旗钢; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA3Z1110)~~; The effect of rapid thermal annealing （RTA） ambient on denuded zone and oxygen precipitates in Czochralski （CZ） silicon wafers is studied in this paper. N2 and a N2/NH3 mixture are used as RTA ambient. It is demon...; 关键词：300mm CZ silicon wafer denuded zone intrinsic gettering RTA XPS AFM

SOI材料的制备技术被引量：3: 《稀有金属》2002年第6期460-467,共8页肖清华屠海令周旗钢王敬常青张果虎; 有色金属研究总院基金项目 (660 1); SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SO...; 关键词：SOI 注氧隔离智能剥离硅片键合减薄外延层转移硅

300mm硅单晶的缩颈生长及应力分析被引量：3: 《稀有金属》2001年第4期266-268,共3页程景柏屠海令周旗钢王敬常青张果虎方锋; 对不同直径颈部晶体进行了拉伸实验及断口形貌观察 ,颈部晶体的断裂属于脆性断裂 ,增大晶体颈部直径可以增大其承受拉力 ,从而可以制得更大重量的单晶。缩颈生长工艺条件会对颈部晶体的抗拉强度产生影响。; 关键词：硅单晶缩颈脆性断裂抗拉强度晶体生长应力分析

300mm硅单晶的生长技术被引量：13: 《Journal of Semiconductors》2001年第3期383-386,共4页张果虎吴志强方锋秦福常青周旗钢屠海令; 讨论了 30 0 mm硅单晶的工艺控制 ,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提。; 关键词：硅单晶热屏拉晶磁体生长的

Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究: 《稀有金属》1998年第6期466-468,共3页郝玉清张果虎常青方锋吴志强万关良秦福; 为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。; 关键词：硅单晶氧径向均匀性热场晶转速度

Φ200mm硅单晶的生长工艺特点被引量：1: 《稀有金属》1998年第1期67-68,共2页张果虎常青方锋吴志强周旗钢; 在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。; 关键词：硅单晶无位错热场拉晶半导体

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