硅片键合

作品数：29被引量：61H指数：4
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者：冯志红吕元杰宋旭波王跃林陈涛更多>>
相关机构：中国科学院中国电子科技集团第十三研究所东南大学厦门大学更多>>
相关期刊：《电子材料（机电部）》《稀有金属》《电力电子技术》《半导体信息》更多>>
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硅片键合套刻偏差测量技术被引量：1
《光学仪器》2021年第5期7-15,共9页李运锋 蓝科 
硅片键合套刻偏差是影响三维垂向互连封装工艺的重要指标之一。利用红外光可以高效穿透硅基半导体材料的特性,设计了测量键合套刻偏差的红外检测系统。通过测试光源和相机得到的噪声大小和分布作为仿真误差来源;通过MATLAB对不同尺寸、...
关键词：硅片键合套刻偏差 红外技术 套刻标记 套刻偏差 测量重复性 
硅片真空键合设备研制
《装备制造技术》2017年第5期159-161,173,共4页李安华 
为了将硅片与硅片有效的键合在一起,研发了一款硅片键合设备。介绍了硅片键合原理及硅片真空键合设备的主要技术指标、设备结构、控制系统等。
关键词：硅片键合 真空 加压 加热 
采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究被引量：1
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期741-744,共4页朱智源 于民 胡安琪 王少南 缪旻 陈兢 金玉丰 
国家科技重大专项(2009ZX02038)资助
研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅...
关键词：圆片级键合 低温 低压 剪切强度 
Si/Si低温键合界面的XPS研究
《厦门理工学院学报》2010年第3期20-23,共4页张小英 阮育娇 陈松岩 王元樟 甘亮勤 杜旭日 
国家自然科学基金重点基金资助项目(60837001);福建省自然科学基金资助项目(2008J0221);福建省教育厅科技项目(JB08215)
利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.
关键词：硅片键合 XPS 金属过渡层 键合机理 
半导体硅片键合:MEMS制造工序中的成熟技术(英文)
《电子工业专用设备》2007年第1期31-36,共6页V.Dragoi P.Lindner H.Kirchberger P.Kettner 
新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采用的不同的晶圆键合方法及其主要工艺参数要求,开发了一种新型的晶圆键合技术。
关键词：硅片键合 微机电系统 制造工艺 
利用金属过渡层低温键合硅晶片被引量：6
《Journal of Semiconductors》2007年第2期213-216,共4页张小英 陈松岩 赖虹凯 李成 余金中 
国家自然科学基金(批准号:60336010);福建省自然科学基金(批准号:A0410008)资助项目~~
在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(X...
关键词：硅片键合 界面特性 金属过渡层 键合机理 
硅微机械加工技术
《中国集成电路》2007年第2期94-94,共1页
本书着重介绍了硅微加工技术中应用的各种方法，包括各向异性湿法化学腐蚀，硅片键合，表面微机械加工，硅的各向同性湿法化学腐蚀，
关键词：硅微机械加工技术 湿法化学腐蚀 表面微机械加工 微加工技术 各向异性 硅片键合 各向同性 
一种新型半绝缘键合SOI结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1828-1831,共4页谭开洲 冯建 刘勇 徐世六 杨谟华 李肇基 张正璠 刘玉奎 何开全 
国家微电子预研资助项目(批准号:41308020413)~~
报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si—Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可...
关键词：硅片键合 半绝缘SOI 多晶过渡层 
先进封装技术的发展趋势被引量：13
《电子工业专用设备》2005年第5期5-8,共4页何田 
先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和材料的要求和挑战。在半导体封装外部形式变迁的基础上,着重阐述了半导体后端工序的关键-封装内部连接方式的发展趋势。分析了半导体前端制造工艺的发展在封装技术上的反映。提出了目...
关键词：封装技术 发展趋势 半导体封装 发展变化 连接方式 制造工艺 倒装芯片 内部连接 硅片键合 SIP MCM 前端 引线 
硅片键合强度测试系统研究被引量：4
《测试技术学报》2005年第2期137-140,共4页陈立国 孙立宁 黄庆安 陈涛 
国家863计划资助项目(2004AA404044)
　对现有的几种硅片键合强度测试方法进行总结,在裂纹传播扩散法测试机理分析的基础上,提出了测试系统需要得到的参数和功能.采用模块化设计思想,对测试系统中的精密定位、显微视觉、红外测试和控制系统等关键技术分别研究,最后将单元...
关键词：键合强度 键合 表面能 裂纹传播扩散 测试 
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