何开全

作品数：7被引量：25H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：电路BICMOSSOIVDMOS串联电阻更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
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一种微调晶振频率的软件实现方法被引量：1
《微电子学》2014年第5期647-650,共4页刘虹 庞佑兵 何开全 李科 
提出一种实用的基于软件和硬件相结合的晶振频率微调方法。该方法能够对晶振输出频率进行精确调节,实现对系统晶振频率的在线校准,无需拆卸系统硬件,能够极大地提高频率校准的效率。该方法的频率校准精度较高,由校准软件和硬件带来的误...
关键词：晶振 频率微调 软件实现 
平行缝焊工艺抗盐雾腐蚀技术研究被引量：11
《微电子学》2011年第3期465-469,共5页李茂松 何开全 徐炀 张志洪 
抗盐雾腐蚀是提高集成电路封装可靠性的重要手段之一。根据金属腐蚀机理,通过优化封焊工艺和AuSn合金焊料平行缝焊封盖工艺,以及在封盖后再次进行电镀修复损伤等措施,提高了平行缝焊集成电路的抗盐雾腐蚀能力。
关键词：集成电路封装 抗盐雾腐蚀 平行缝焊 
一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究被引量：2
《物理学报》2008年第3期1872-1877,共6页谭开洲 胡刚毅 杨谟华 徐世六 张正璠 刘玉奎 何开全 钟怡 
国防预研究基金(批准号:41308020413)资助的课题~~
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退...
关键词：界面陷阱 亚阈值电流 X射线辐射 电离辐射 N沟VDMOS 
二十四所半导体工艺技术发展历程与展望被引量：1
《微电子学》2008年第1期17-22,共6页何开全 王志宽 钟怡 
回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程。晶圆尺寸从1.5吋(40 mm)到6吋(150 mm),特征线宽从10μm到0.5μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件。从...
关键词：半导体工艺 双极 互补双极 CMOS VDMOS BICMOS SOI 
一种新型半绝缘键合SOI结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1828-1831,共4页谭开洲 冯建 刘勇 徐世六 杨谟华 李肇基 张正璠 刘玉奎 何开全 
国家微电子预研资助项目(批准号:41308020413)~~
报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si—Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可...
关键词：硅片键合 半绝缘SOI 多晶过渡层 
一种16位高速D/A转换器的研究被引量：1
《微电子学》2004年第6期689-693,697,共6页李荣强 石建刚 何开全 
　介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μ...
关键词：数字/模拟混合电路 D/A转换器 BICMOS工艺 
高性能模拟集成电路工艺技术被引量：7
《微电子学》2004年第4期398-401,共4页何开全 谭开洲 李荣强 
　介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。
关键词：模拟集成电路 BICMOS 互补双极工艺 SOI 深槽介质隔离 
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