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机构地区:[1]模拟集成电路国家重点实验室 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
出 处:《微电子学》2004年第6期689-693,697,共6页Microelectronics
摘 要: 介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μmBiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。A 16-bit high-speed digital-to-analog converter is presented. The device is a high-performance digital/analog mixed-signal circuit. Operating at ±5 V, the circuit has a conversion rate higher than 30 MSPS and a settling time of 50 ns. Fabricated with a 2-μm BiCMOS technology, the D/A converter has a power dissipation of 500 mW. The design of the circuit is described, along with its process technology. Finally, test results of the D/A converter are discussed.
关 键 词:数字/模拟混合电路 D/A转换器 BICMOS工艺
分 类 号:TN792[电子电信—电路与系统] TN433
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