钟怡

作品数：5被引量：4H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：半导体绝缘层深槽半导体器件多晶更多>>
发文领域：电子电信文化科学电气工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《微电子学》更多>>
所获基金：国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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一种提高ESD性能的高压SBD器件结构研究被引量：1
《微电子学》2012年第2期273-276,共4页钟怡 许国磊 欧宏旗 义岚 刘嵘侃 
提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制。该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到平坦的肖特基势垒区,从根本上提...
关键词：肖基势垒二极管 静电放电 可靠性 
基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计
《微电子学》2011年第2期285-288,共4页唐昭焕 甘明富 钟怡 谭开洲 刘勇 杨永晖 胡刚毅 徐学良 李荣强 
国家重点基础研究发展计划基金资助项目(Y61398);微电子支撑技术基金资助项目(62501080110)
提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验...
关键词：半导体器件 NPN管 多晶外基区 集电极选择性注入 
一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究被引量：2
《物理学报》2008年第3期1872-1877,共6页谭开洲 胡刚毅 杨谟华 徐世六 张正璠 刘玉奎 何开全 钟怡 
国防预研究基金(批准号:41308020413)资助的课题~~
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退...
关键词：界面陷阱 亚阈值电流 X射线辐射 电离辐射 N沟VDMOS 
二十四所半导体工艺技术发展历程与展望被引量：1
《微电子学》2008年第1期17-22,共6页何开全 王志宽 钟怡 
回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程。晶圆尺寸从1.5吋(40 mm)到6吋(150 mm),特征线宽从10μm到0.5μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件。从...
关键词：半导体工艺 双极 互补双极 CMOS VDMOS BICMOS SOI 
一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT
《微电子学》2006年第5期576-579,583,共5页赵安邦 谭开洲 吴国增 李荣强 张静 钟怡 刘道广 
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量,在室温下电流增益β大于1 500,最大达到2 800,其Vceo为5 V,厄利(Early)电压VA大于10 V,βVA乘积达到15 000以上。这种器件对多晶硅发射极砷杂质浓度分布十分敏感。
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 平面集成 多晶硅发射极 
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