欧宏旗

作品数：6被引量：6H指数：2
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一种高压低功耗比较器电路的设计
《微电子学》2023年第3期402-407,共6页欧宏旗 刘玉奎 付晓伟 黄磊 朱煜开 殷万军 汪璐 
提出了一种高压低功耗比较器电路。该电路基于0.5μm CMOS工艺设计,采用差分对单端输出结构,利用高压PMOS尾电流进行偏置,实现了降低功耗的目的。结果表明,该电路静态电流约为8.25μA,工作电压范围为3~18 V,输入失调电压为5 mV,输入失...
关键词：低功耗 比较器 模拟集成电路 
一种提高ESD性能的高压SBD器件结构研究被引量：1
《微电子学》2012年第2期273-276,共4页钟怡 许国磊 欧宏旗 义岚 刘嵘侃 
提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制。该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到平坦的肖特基势垒区,从根本上提...
关键词：肖基势垒二极管 静电放电 可靠性 
PJFET与双极兼容工艺技术研究被引量：2
《微电子学》2009年第4期571-574,共4页税国华 唐昭焕 刘勇 欧宏旗 杨永晖 王学毅 黄磊 
通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-12～10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVCEO≥36V、Ua≥100V的NPN管。采用该技术...
关键词：PJFET NPN管 PJFET-双极兼容工艺 集成运算放大器 
一种PN结隔离互补双极工艺被引量：3
《微电子学》2007年第4期548-552,共5页欧宏旗 刘伦才 胡明雨 税国华 
介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。
关键词：互补双极工艺 隔离技术 PNP晶体管 高速放大器 
一种超βNPN晶体管的研制被引量：1
《微电子学》2005年第6期689-692,共4页阚玲 欧宏旗 
阐述了一种超βNPN型晶体管的研制及实现批量生产的过程.该晶体管在VCE＝5 V、IC＝500 mA大电流下工作时,电流增益可达到900～1800,且器件的BVCEO、BVCBO耐压比较高,其中,BVEBO达15 V以上,完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用要求.
关键词：超β NPN晶体管 双极晶体管 半导体工艺 
一种电流型10位D／A转换器
《微电子学》1995年第2期45-48,共4页欧宏旗 
本文介绍了１０位Ｄ／Ａ转换器ＳＤＡ１００的电路结构和工作原理，重点叙述了工艺制作技术以及电路中ＣｒＳｉ薄膜电阻的激光修调技术，并介绍了一些实际制作经验，为以后的设计提供参考。
关键词：数-模转换器 双极工艺 激光修调 
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