NPN晶体管

作品数：35被引量：32H指数：2
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一种应用于EEPROM的快速升压电荷泵设计被引量：1
《电子元件与材料》2023年第11期1396-1401,共6页洪国华 卓启越 葛优 邹望辉 
湖南省自然科学基金(2020JJ4627)。
设计了一种能快速升压的片上电荷泵电路。当电荷泵用于为EEPROM存储单元提供擦除及写入操作需要的高压时,其升压速度是重要的设计指标之一。研究发现,使用NPN晶体管代替传统Dickson电荷泵中的NMOS管组成升压链路后,能够提高电荷泵的升...
关键词：电荷泵 NPN晶体管 快速升压 三阱CMOS工艺 EEPROM 
开关电源何时选择BJT优于MOSFET?
《世界电子元器件》2022年第11期20-21,共2页
MOSFET已经是是开关电源领域的主力器件。但在一些实例中,与MOSFET相比,双极性结式晶体管(BJT)可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中,成本和高电压(大于1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大理由。在低功耗(3W及以下)反激式电源中,很...
关键词：开关电源 BJT MOSFET NPN晶体管 双极性 反激式电源 高电压 低功耗 
离子注入温度对NPN晶体管的影响探究被引量：2
《集成电路应用》2019年第7期34-36,共3页刘春玲 沈今楷 王星杰 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
通过使用不同冷却系统的离子注入机台(昆腾和GSD200),调整靶盘的转速等实现离子注入温度的改变,研究NPN晶体管发射极离子注入温度对NPN晶体管的影响。实验结果表明离子注入温度越高,NPN晶体管的电流增益会随之降低。热波法检测结果显示...
关键词：集成电路制造 NPN 双极结型晶体管 电流增益 离子注入 靶盘温度 
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
《核技术》2018年第11期44-48,共5页刘默寒 陆妩 贾金成 施炜雷 王信 李小龙 孙静 郭旗 吴雪 张培健 
模拟集成电路国家重点实验室基金(No.0C09YJTJ1503);国家自然科学基金(No.U1630141)资助~~
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率...
关键词：双多晶自动准 NPN晶体管 发射极尺寸 剂量率效应 
基于1/f噪声的NPN晶体管辐照感生电荷的定量分离被引量：1
《物理学报》2015年第13期301-307,共7页赵启凤 庄奕琪 包军林 胡为 
国家自然科学基金(批准号:61076101;61204092)资助的课题~~
本文针对NPN双极性晶体管,在研究辐照感生的氧化层电荷及界面态对晶体管基极电流和1/f噪声的影响的基础上,建立辐照感生氧化层电荷及界面态与基极电流和1/f噪声的定量物理模型.根据所建立的模型,提出一种新的分离方法,利用1/f噪声和表...
关键词：电离辐照 1/f噪声 氧化层电荷 界面态 
Diodes全新微型晶体管显著缩减占位面积
《单片机与嵌入式系统应用》2015年第3期88-88,共1页
Diodes公司（Diodes Incorporated）推出采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0．36m秆，并能提供相等甚至更佳的电气性能。这些器件的离板高度只有0．4mm，非常...
关键词：NPN晶体管 电路板面积 消费性产品 占位 缩减 微型 PNP晶体管 电气性能 
NPN晶体管部分参数计算及仿真研究
《电子世界》2014年第19期113-114,共2页王健 王思蓉 刘爽 
应用半导体物理理论对NPN晶体管放大系数等参数进行了两种方法计算，采用SILVACO ATLAS软件对晶体管建模并仿真求取，比较了仿真与计算结果。为设计者提供了一种理论计算与仿真一致性较好的晶体管设计方法。
关键词：NPN晶体管 放大系数 迁移率 
Diodes推出可去除杂波的100V线性LED驱动器
《电源技术应用》2012年第8期I0008-I0008,共1页
Diodes公司推出AL5801线性发光二极管（LED）驱动器，仅需两个外加组件，就可以为设计人员简化汽车内部、指示牌及一般照明控制电路。这款占位小、采用SOT26封装的器件，把一个100V额定N通道MOSFET集成于一个经过预先偏置的NPN晶体管，...
关键词：LED驱动器 线性 杂波 NPN晶体管 MOSFET 发光二极管 汽车内部 设计人员 
Diodes 100V线性LED驱动器为低功率照明设计去除杂波
《电子元器件应用》2012年第8期74-74,共1页
Diodes公司推出AL5801线性发光二极管（LED）驱动器，仅需两个外加组件，就可以为设计人员简化汽车内部、指示牌及一般照明控制电路。这款占位小、采用SOT26封装的器件，把一个100V额定N通道MOSFET集成于一个经过预先偏置的NPN晶体管，...
关键词：LED驱动器 照明设计 低功率 线性 杂波 NPN晶体管 MOSFET 发光二极管 
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET中的寄生双极效应被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第2期131-134,共4页洪根深 顾爱军 
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为...
关键词：绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 双极效应 NPN晶体管 抗辐射 
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