EEPROM

作品数：849被引量：613H指数：10
导出分析报告
相关领域：自动化与计算机技术更多>>
相关作者：朱钧周昕杰王晓玲魏同立王桂珍更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司复旦大学清华大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金江苏省青年科技基金国家科技重大专项北京市科技计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于FPGA的SPI总线读写EEPROM控制器设计
《计算机应用文摘》2025年第7期132-134,共3页吴迪 毛园园 卢峥 江昊昱 
在FPGA读写EEPROM控制器时,常用的接口有I2C和SPI。它们都是常见的串行通信协议,在不同的应用场景中发挥着重要作用。在对传输速率有较高要求的场景中,SPI因其高速和灵活性,通常是一个较好的选择。文章设计了一种基于FPGA的SPI总线读写E...
关键词：FPGA SPI EEPROM 串口 
EEPROM数据误改写原因分析与解决方案研究
《日用电器》2024年第11期68-72,80,共6页廖荣华 
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是一种广泛应用于电子设备中的非易失性存储器。其主要作用存储参数、记录数据、记录用户使用习惯及使用情况、掉电记忆功能等作用。尽管EEPROM其具有数据保存稳定、可多...
关键词：EEPROM 数据改写 数据丢失 CRC校验 DC-DC电路 电磁干扰 
基于国产FPGA的EEPROM读写控制器设计
《舰船电子工程》2024年第10期164-169,共6页陈燕 甄国涌 储成群 崔杰 
国家自然科学基金青年科学基金项目(编号:62131018)资助。
依据IIC串行通信信号传输规范,设计了一种基于国产FPGA的EEPROM读写控制方案。将国产FPGA芯片PGL50G作为核心控制器件,通过硬件模块和软件模块设计对EEPROM芯片以字节为单位进行数据读写控制。在硬件模块的电路设计上,通过外接2.21 K的...
关键词：FPGA 串行通信 IIC PGL50G EEPROM 
浮栅和高压栅极共掺在EEPROM中的应用研究
《固体电子学研究与进展》2024年第4期363-366,共4页刘冬华 陈云骢 钱文生 
为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不...
关键词：EEPROM 浮栅 共掺 
提高EEPROM擦写次数耐久力的工艺分析
《集成电路应用》2024年第7期6-7,共2页宋金星 
阐述基于器件工艺特性,提高EEPROM擦写次数耐久力的一种方法,采用控制掺杂氯的比例提高浮栅氧化层(隧穿氧化层)的质量,尤其是两侧的质量,并利用快速热退火技术修复氧化层缺陷,进一步提高氧化层质量。
关键词：集成电路设计 EEPROM 擦写耐久力 
适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计被引量：1
《电子与封装》2023年第11期74-79,共6页周旺 李一男 陈风凉 沈鑫 王留所 
设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真环境...
关键词：EEPROM LDO 宽电源电压 高启动速度 低功耗 
一种应用于EEPROM的快速升压电荷泵设计被引量：1
《电子元件与材料》2023年第11期1396-1401,共6页洪国华 卓启越 葛优 邹望辉 
湖南省自然科学基金(2020JJ4627)。
设计了一种能快速升压的片上电荷泵电路。当电荷泵用于为EEPROM存储单元提供擦除及写入操作需要的高压时,其升压速度是重要的设计指标之一。研究发现,使用NPN晶体管代替传统Dickson电荷泵中的NMOS管组成升压链路后,能够提高电荷泵的升...
关键词：电荷泵 NPN晶体管 快速升压 三阱CMOS工艺 EEPROM 
DSP与同步串行EEPROM 93LC56B的接口研究被引量：2
《单片机与嵌入式系统应用》2023年第8期59-63,共5页张文婷 谢伟 
为了查明同步串行EEPROM芯片93LC56B是否适配DSP芯片TMS320F2812的SPI接口,分析了93LC56B的关键接口时序特性,设计电路将TMS320F2812和93LC56B的SPI引脚连接在FPGA的I/O引脚上,通过ChipScope抓取两个芯片的SPI接口数据,确定了TMS320F281...
关键词：EEPROM DSP SPI 93LC56B TMS320F2812 
EEPROM存储数据耗时问题探究分析被引量：1
《山西电子技术》2023年第4期93-96,共4页石永慧 
第二批国家级职业教育教师教学创新团队课题研究项目(ZI2021120303)。
某嵌入式压力处理传感器软件在EEPROM存储器存储故障字过程中耗时太久,不符合所要求的30%时间余量。因此,不能在规定的时间内进行故障字存储操作。即故障字存储耗时过久导致时间余量达不到要求。针对这一问题,通过对存储芯片本身特性的...
关键词：EEPROM 故障字 耗时 
复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
《单片机与嵌入式系统应用》2023年第6期96-96,共1页
上海复旦微电子集团股份有限公司推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28 nm先进NAND flash工艺,满足6万次...
关键词：数据保存 NAND EEPROM FLASH 擦写 上海复旦 高可靠性要求 系列产品 
全选清除导出
共85页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部