浮栅

作品数：115被引量：62H指数：3
导出分析报告
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
相关作者：张卫刘明朱宝孙清清王琴更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司华虹半导体(无锡)有限公司上海华力微电子有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金广东省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种含浮栅的肖特基场效应晶体管特性研究
《微处理机》2025年第1期20-23,共4页王继祥 靳晓诗 任国琛 
本文提出一种源漏浮栅型场效应晶体管,针对传统PN结型器件在纳米尺度下结变陡的问题,采用金属-本征硅接触形成肖特基势垒,并在器件内部设计可充电的编程浮栅。研究表明,在N型工作模式下,当控制栅加正向电压且浮栅充入正电荷时,可增强栅...
关键词：浮栅型场效应晶体管 肖特基势垒 低反向漏电 
浮栅和高压栅极共掺在EEPROM中的应用研究
《固体电子学研究与进展》2024年第4期363-366,共4页刘冬华 陈云骢 钱文生 
为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不...
关键词：EEPROM 浮栅 共掺 
重离子辐照引发的25 nm NAND Flash存储器数据位翻转
《原子能科学技术》2023年第12期2264-2273,共10页盛江坤 许鹏 邱孟通 丁李利 罗尹虹 姚志斌 张凤祁 缑石龙 王祖军 
为研究不同注量下浮栅存储单元位翻转特点及其翻转截面变化,以及重离子入射导致的多单元翻转,以两款25 nm NAND Flash存储器为载体开展了重离子实验研究。实验结果表明,单个重离子在击中存储单元灵敏体积的情况下足以引起位翻转,位翻转...
关键词：NAND Flash 浮栅 重离子辐照 注量相关性 多单元翻转 
浮栅晶体管不同射线剂量响应特性研究
《微电子学》2023年第6期981-987,共7页任李贤 孙静 何承发 荀明珠 郭旗 
特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金资助项目(21kftk03);中科院西部之光资助项目(2021-XBQNXZ-020);国家自然科学基金资助项目(11975305)
针对浮栅晶体管在不同射线下的响应差异问题,进行了^(60)Co-γ射线、25 MeV质子和1 MeV电子的辐照试验,研究了不同射线下浮栅晶体管的剂量响应差异。采用蒙特卡罗方法对器件灵敏区的吸收剂量进行了修正。通过中带电压分离出界面陷阱电荷...
关键词：浮栅晶体管 总剂量效应 陷阱电荷分离 剂量响应差异 
基于浮栅型薄膜晶体管的光控多值存储器
《福建理工大学学报》2023年第6期580-584,共5页李博文 张国成 秦世贤 邢俊杰 李志达 赖秉琳 
福建省自然科学基金面上项目(2021J011082);福建工程学院校科研启动基金(GY-Z20041)。
为了解决一般存储器存储密度低、数据保持能力弱及保密性差等问题,基于浮栅型薄膜晶体管制备了一种性能受光调制的信息存储器,该存储器的存储窗口大于60 V,在特定条件下可呈现“1”“中间态”“0”3种电流水平,采用PN共混的有源层提高...
关键词：浮栅型存储器 薄膜晶体管 光调制 PN共混 
基于H型芴基小分子的双极性有机场效应晶体管存储器
《化学学报》2023年第11期1508-1514,共7页刘玉玉 陈捷锋 邵振 魏颖 凌海峰 解令海 
国家重点研发计划青年项目(No.2021YFA0717900);国家自然科学基金(Nos.22275098,22071112);国家留学基金(No.201908320064);南京工业职业技术大学(No.YK21-02-07)资助。
从空间位阻角度出发,设计并合成了H型芴基小分子材料3Ph-TrH,并通过溶液加工方法制备了将其作为电荷捕获层的浮栅型有机场效应晶体管(OFET)存储器.结果表明,该器件的空穴和电子存储窗口分别为31.2和11.6V,实现了基于单个小分子材料的双...
关键词：空间位阻 芴基小分子材料 电荷捕获层 双极性电荷存储 浮栅型OFET存储器 
基于范德华异质结的多功能场效应晶体管制备及性能研究
《湖北大学学报（自然科学版）》2023年第5期766-773,共8页胡永康 许易龙 郝俊 王瑞洲 朱金龙 毛彩霞 薛丽 胡永红 
国家自然科学基金项目(11747044);国家级大学生创新创业计划训练项目(202210927002)资助
二维材料范德华异质结的研究推动了新型电子器件的发展.最近基于此类材料的电子器件时有报道,但鲜见同时具备逻辑运算和数据存储功能的电子设备.该研究采用机械剥离等方法,设计和制作了一种基于石墨烯/六方氮化硼/二硫化钼范德华异质结...
关键词：异质结构 半浮栅 多功能 非易失性存储器 二极管 
一种非易失可重置单栅场效应晶体管
《微处理机》2023年第5期6-8,共3页张瀚爽 刘溪 
针对常规可重置型场效应晶体管(RFET)操作复杂、集成度低和反向泄漏电流较高等问题,提出了一种非易失可重置单栅场效应晶体管(NV-RFET)。新设计利用在漏电极和源电极之间施加电势差对可重置浮栅进行重置,对比现有技术,在断电情况下依然...
关键词：场效应管 可重置型晶体管 非易失性 可重置浮栅 
一种源漏缓冲浮栅型低漏电场效应晶体管
《微处理机》2023年第4期15-18,共4页唐强 靳晓诗 
为解决当前主流晶体管MOSFET的反向泄漏电流较大的问题,并对传统FINFET做进一步优化,提出一种源漏缓冲浮栅型的具有较低漏电的场效应晶体管。所设计出的双向开关装置具有低静态功耗和低反向泄漏电流,只需一个独立外部供电的栅电极就可...
关键词：鳍式场效应晶体管 浮栅 低漏电 低功耗 
一种具有源漏辅助栅的低肖特基势垒MOSFET
《微处理机》2023年第4期22-25,共4页费曦杨 靳晓诗 
为改善低肖特基势垒MOSFET器件的性能表现,提出一种具有源漏辅助栅的低肖特基势垒MOSFET。该器件采用鳍型主控栅,体硅两侧各设置一个浮栅作为辅助栅,通过最外围控制栅向浮栅冲入电荷。通过与传统低肖特基势垒场效应晶体管的输出特性曲...
关键词：浮栅 肖特基势垒MOSFET 辅助栅 
全选清除导出
共12页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部