PNP晶体管

作品数：37被引量：27H指数：3
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内嵌横向PNP晶体管的新型静电放电双向防护器件被引量：2
《物理学报》2022年第23期406-414,共9页刘静 党跃栋 刘慧婷 赵岩 
陕西省重点研发计划(批准号:2022GY-016)资助的课题.
提出一种内嵌横向PNP晶体管的静电放电(ESD)双向防护器件(PNP_DDSCR).对新结构器件在不同ESD应力模式下的响应过程以及电流输运机制进行研究,内嵌横向PNP晶体管的引入,提高了DDSCR系统内部寄生晶体管的注入效率,促进正反馈系统建立,同...
关键词：静电防护 触发电压 维持电压 
基于电荷泵技术的栅控横向晶体管在氢氛围中的辐照损伤增强机制
《现代应用物理》2022年第1期164-171,共8页缑石龙 马武英 姚志斌 何宝平 盛江坤 王祖军 薛院院 
国家自然科学基金资助项目(11690040,11690043);强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1802Z)。
以栅控横向PNP(gate-controlled lateral PNP,GCLPNP)晶体管为载体,开展了在不同浓度氢氛围中的辐照实验,研究了氢气对双极器件总剂量辐射效应的影响规律。并利用电荷泵技术,分离得到GCLPNP晶体管辐照后产生的界面陷阱浓度和氧化物陷阱...
关键词：GCLPNP晶体管 电荷泵 氢气 界面陷阱 氧化物陷阱电荷 
横向PNP晶体管质子辐照损伤的缺陷间能级耦合机制被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期75-82,共8页刘岩 陈伟 王忠明 王茂成 王迪 刘卧龙 王百川 杨业 姚志斌 郭晓强 王晨辉 白小燕 
基础加强计划重点基础研究资助项目(JQZD052003)。
为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制,基于栅控电荷分离方法,对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效应的差异,并对质子辐照后的长期退火特征进行了分析。通过对栅扫描峰值展宽机理的分析,提出了位移损伤...
关键词：位移损伤 缺陷能级 质子辐照 中子辐照 横向晶体管 
温度系数连续可调的带隙基准源电路设计被引量：3
《液晶与显示》2018年第5期412-417,共6页庄楚楠 许佳雄 
为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路...
关键词：带隙基准源 温度系数连续可调 PTAT电流 PNP晶体管 
氢气气氛下横向PNP晶体管电离损伤行为被引量：3
《太赫兹科学与电子信息学报》2017年第4期690-695,共6页李兴冀 陈朝基 杨剑群 刘超铭 马国亮 
国家自然科学基金资助项目(61404038;11205038)
无论氢在电子器件内部以何种形式(H2分子、H原子或H+离子)存在,均会对电子器件电离损伤产生作用,进而影响器件的抗辐照能力。本文深入研究了氢气和空气气氛条件下1 Me V电子辐照栅控横向PNP(GLPNP)型双极晶体管的辐射损伤缺陷演化行为...
关键词：双极晶体管 电离辐射 界面态 深能级瞬态谱仪 栅扫技术 
一种面向无源RFID的新型高精度温度传感器被引量：2
《微电子学》2016年第2期239-242,246,共5页陈晖 景为平 
核高基重大专项资助项目(2009ZX01031-002-002);江苏省科技支撑计划(工业部分)资助项目(BE2013008-3);国产嵌入式CPU技术的研发及其SoC产业化应用资助项目
针对目前超低功耗温度传感器误差大的问题,运用由精确比例电流源偏置的寄生衬底PNP晶体管,采用0.18μm混合信号工艺设计了一种可集成于无源RFID标签的新型高精度温度传感器。传感器核心电路产生与绝对温度成正比的电压信号,通过新型开...
关键词：温度传感器 射频识别 PNP晶体管 动态元件匹配 开关电容积分器 模数转换器 
基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响被引量：4
《强激光与粒子束》2015年第11期171-176,共6页王晨辉 陈伟 刘岩 李斌 杨善潮 金晓明 白小燕 齐超 林东生 
国家自然科学基金重点项目(11235008)
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×10...
关键词：基区表面势 栅控横向PNP晶体管 中子位移损伤 
Diodes全新微型晶体管显著缩减占位面积
《单片机与嵌入式系统应用》2015年第3期88-88,共1页
Diodes公司（Diodes Incorporated）推出采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0．36m秆，并能提供相等甚至更佳的电气性能。这些器件的离板高度只有0．4mm，非常...
关键词：NPN晶体管 电路板面积 消费性产品 占位 缩减 微型 PNP晶体管 电气性能 
栅控横向PNP双极晶体管基极电流峰值展宽效应及电荷分离研究被引量：5
《物理学报》2014年第11期218-223,共6页马武英 王志宽 陆妩 席善斌 郭旗 何承发 王信 刘默寒 姜柯 
为了对双极器件在电离辐射环境下的损伤机理及加固技术进行深入的研究,对设计制作的不同工艺类型的栅控横向PNP双极晶体管进行了60Co-γ低剂量率辐照试验.结果表明:1)栅控双极晶体管的辐射特性具有很强的工艺相关性,钝化层的存在对于双...
关键词：栅控双极PNP晶体管 60Coγ辐照 辐射损伤 
成功筛选互补双极晶体管
《EDN CHINA 电子技术设计》2013年第5期49-49,共1页Peter Demchenko 
对于要使用互补双极晶体管的电路设计，有时候需要筛选出与直流增益（届）相匹配的NPN和PNP晶体管。这样一种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。图1中的电路给出了一种简单的测试设备，能够获得这种匹配。
关键词：双极晶体管 互补 筛选 电路设计 PNP晶体管 相匹配 直流增益 测试设备 
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