PJFET与双极兼容工艺技术研究  

Study on PJFET-Bipolar Compatible Process Technology

作　　者：税国华[1] 唐昭焕[1] 刘勇[1,2] 欧宏旗[1,2] 杨永晖[1,2] 王学毅[1] 黄磊[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [2]模拟集成电路国家级重点实验室,重庆400060

出　　处：《微电子学》2009年第4期571-574,共4页Microelectronics

摘　　要：通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-12～10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVCEO≥36V、Ua≥100V的NPN管。采用该技术，成功研制出一种偏置电流小于100pA的高精密双极结型场效应晶体管（BJFET）集成运算放大器，获得了良好的效果。An investigation was made on PJFET-bipolar compatible process technology, and solutions to technical problems associated with the compatible process were found. Using this process, high-performance PJFET with IDSS = 150-350μA （W/L = 10：1）, Ve= 0. 8-1.2 V, and IGSS= 10^-12-10^-11 A, and NPN transistor with β =100-250, BVCEO≥ 36 V, and Va ≥100 V were realized. And based on bipolar junction field effect transistor （BJFET）, a high-precision integrated operational amplifier with bias current below 100 oA was develooed.

关 键 词：PJFET NPN管 PJFET-双极兼容工艺 集成运算放大器 

分 类 号：TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]