高性能模拟集成电路工艺技术  

A Summary of High Performance Analog IC Technology

作　　者：何开全[1] 谭开洲[1] 李荣强[1] 

机构地区：[1]模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2004年第4期398-401,共4页Microelectronics

摘　　要：　介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。An overview of analog IC technology is presented. The latest development of BiCMOS process, complementary bipolar technology and SOI deep trench isolation technology are elaborated, with emphasis on BiCMOS technology. Finally, the development trend of process technology for analog IC's are investigated in general.

关 键 词：模拟集成电路 BICMOS 互补双极工艺 SOI 深槽介质隔离 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]