Si/Si低温键合界面的XPS研究  

XPS Study of the Interfaces of Low-temperature Si/Si Wafer Bonding

作　　者：张小英[1] 阮育娇[2] 陈松岩[2] 王元樟[1] 甘亮勤[1] 杜旭日[1] 

机构地区：[1]厦门理工学院数理系,福建厦门361024 [2]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出　　处：《厦门理工学院学报》2010年第3期20-23,共4页Journal of Xiamen University of Technology

基　　金：国家自然科学基金重点基金资助项目(60837001);福建省自然科学基金资助项目(2008J0221);福建省教育厅科技项目(JB08215)

摘　　要：利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.Low-temperature wafer to wafer bonding has been achieved by using intermediate metals.Tensile test shows that the higher the bonding temperature is.The greater the bonding strengthis.The Si/Si interfaces are analyzed by using X-ray photoelectron spectroscopy（XPS）.The results shows that the interface of the samples is made up of Au-Si eutectic alloy and the ratio of Si-Au increases with the annealing temperature increasing.

关 键 词：硅片键合 XPS 金属过渡层 键合机理 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]