何自强

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Effect of Rapid Thermal Annealing Ambient on Gettering Efficiency and Surface Microstructure in 300mm CZ Silicon Wafers
《Journal of Semiconductors》2008年第5期822-826,共5页冯泉林 何自强 常青 周旗钢 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA3Z1110)~~
The effect of rapid thermal annealing （RTA） ambient on denuded zone and oxygen precipitates in Czochralski （CZ） silicon wafers is studied in this paper. N2 and a N2/NH3 mixture are used as RTA ambient. It is demon...
关键词：300mm CZ silicon wafer denuded zone intrinsic gettering RTA XPS AFM 
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