内吸杂

作品数：9被引量：6H指数：2
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快速退火气氛对硅片洁净区和表面形貌的影响
《微电子学》2008年第4期477-480,共4页冯泉林 王敬 何自强 常青 周旗钢 
使用N2和N2／NH3混合气氛作为快速热退火（RTA）气氛，研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响。在N2／NH3混合气氛下，RTA处理后，硅片表面出现小坑，同时，微粗糙度增加，后续热处理工艺中会出现薄的洁净区（～10μm）和...
关键词：单晶硅片 洁净区 氧沉淀 内吸杂 快速热退火 
热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第6期865-868,共4页崔灿 杨德仁 马向阳 
国家杰出青年基金(批准号:60225010);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA3Z1142)资助项目~~
研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)...
关键词：直拉硅 氧沉淀 内吸杂 
快速热处理在直拉硅内吸杂技术中的应用
《中国材料科技与设备》2006年第1期62-64,共3页孙世龙 赵丽伟 赵彦桥 石义情 郝秋艳 刘彩池 
国家自然科学基金项目（60076001）;河北省自然科学基金项目（E2005000057）;河北省教育厅科技项目（2004311）
硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续...
关键词：直拉硅 快速热处理 氧沉淀 清洁区 
快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第1期68-72,共5页冯泉林 史训达 刘斌 刘佐星 王敬 周旗钢 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA3Z1110)~~
300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NH3混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NH3混合气氛处理的硅片表层...
关键词：洁净区 氧沉淀 单晶硅片 内吸杂 RTA 
N_2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响被引量：1
《稀有金属》2005年第6期810-813,共4页冯泉林 周旗钢 王敬 刘斌 刘佐星 
国家863项目资助(2002AA3Z1110)
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4 h+1000℃,16 h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长RTA恒...
关键词：硅抛光片 洁净区 氧沉淀 内吸杂 原子力显微镜 微粗糙度 
重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力
《Journal of Semiconductors》2003年第6期598-601,共4页余学功 杨德仁 马向阳 杨建松 阙端麟 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 )~
研究了重掺硼 ( HB)、重掺砷 ( HAs)以及重掺锑 ( HSb)直拉 ( CZ)硅片对重金属 Cr的内吸杂能力 .将不同程度(～ 10 1 2 cm- 2 ,～ 10 1 4 cm- 2 )沾污 Cr的硅片在 N2 下进行常规的高 -低 -高三步退火 ,并由全反射 X射线荧光光谱( TRXF)...
关键词：重掺直拉硅 氧沉淀 内吸杂 
淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2001年第4期401-404,共4页闵靖 邹子英 李积和 陈青松 周子美 陈一 
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽。在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用。多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用。本文提...
关键词：多晶硅吸杂 内吸杂 增强吸杂 氧沉淀 氧化层错 洁净层 
3d过渡族金属杂质在硅中的行为
《材料科学与工程》1997年第4期19-21,共3页张溪文 杨德仁 阙端麟 
本文综述了３ｄ过渡族金属在直拉硅单晶中的扩散、溶解、沉淀及间隙位演变等性质，介绍了国际上在此领域的研究进展，为进一步开展这方面的工作提供了有益的借鉴。
关键词：3d过渡族金属 内吸杂 氧沉淀 硅 IC 扩散 
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