重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力  

Inner Gettering of Heavily-Doping Silicon for Cr

作　　者：余学功[1] 杨德仁[1] 马向阳[1] 杨建松[1] 阙端麟[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第6期598-601,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 )~

摘　　要：研究了重掺硼 ( HB)、重掺砷 ( HAs)以及重掺锑 ( HSb)直拉 ( CZ)硅片对重金属 Cr的内吸杂能力 .将不同程度(～ 10 1 2 cm- 2 ,～ 10 1 4 cm- 2 )沾污 Cr的硅片在 N2 下进行常规的高 -低 -高三步退火 ,并由全反射 X射线荧光光谱( TRXF)测量退火前后样品表面 Cr的含量 .结果表明在三种重掺硅中 ,HB硅片的内吸杂能力最强 ,HAs硅片次之 。s:The inner gettering (IG) ability of heavily-doping silicon for Cr is investigated.After contaminating different concentration of Cr,the samples are three-step high-low-high IG annealing;the concentrations of Cr are measured by TRXF.It is concluded that the IG ability of boron heavily-doped wafer for Cr is the strongest.

关 键 词：重掺直拉硅 氧沉淀 内吸杂 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]