3d过渡族金属杂质在硅中的行为  

Behavior of 3d Transition Metals in Sillicon Crystal

作　　者：张溪文[1] 杨德仁[1] 阙端麟[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室

出　　处：《材料科学与工程》1997年第4期19-21,共3页Materials Science and Engineering

摘　　要：本文综述了３ｄ过渡族金属在直拉硅单晶中的扩散、溶解、沉淀及间隙位演变等性质，介绍了国际上在此领域的研究进展，为进一步开展这方面的工作提供了有益的借鉴。\ The 3d transition metals behavior of diffusion,dissociation,precipitation and interstitial evolution in silicon crystal was surveyed.The abroad research work in this field was also introduced,which will be benifit for the further investigation.

关 键 词：3d过渡族金属 内吸杂 氧沉淀 硅 IC 扩散 

分 类 号：TN405.4[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.12