秦福

作品数：10被引量：17H指数：1
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300mm硅单晶的生长技术被引量：13
《Journal of Semiconductors》2001年第3期383-386,共4页张果虎 吴志强 方锋 秦福 常青 周旗钢 屠海令 
讨论了 30 0 mm硅单晶的工艺控制 ,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提 。
关键词：硅单晶 热屏 拉晶 磁体 生长的 
非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究
《Journal of Semiconductors》1998年第7期538-541,共4页刘莉 秦福 
本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果...
关键词：半导体 硅片 非晶硅 PECVD法 吸除技术 
Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究
《稀有金属》1998年第6期466-468,共3页郝玉清 张果虎 常青 方锋 吴志强 万关良 秦福 
为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。
关键词：硅单晶 氧径向均匀性 热场 晶转速度 
Φ125mm硅单晶的控氧技术被引量：1
《稀有金属》1997年第5期395-397,共3页张果虎 常青 方锋 吴志强 郝玉清 秦福 
Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含...
关键词：控氧技术 坩埚 结构 单晶硅 单晶炉 
扫描隧道显微镜重掺硅（111）表面微缺陷研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第7期513-517,共5页刘鸿飞 秦福 朱悟新 尤重远 陈开茅 
国家自然科学基金
利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多；粗糙度约为几个纳米的大面积平整...
关键词：扫描隧道显微镜 掺硅 表面微缺陷 
直拉硅单晶中热施主的快速热退除被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第10期789-793,共5页栾洪发 张果虎 李兵 陈学清 秦福 钱佩信 
本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题．结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同．４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生．
关键词：单晶拉制 硅 热施主 热处理 
采用温度测量的方法对直拉法熔体流动的研究
《半导体技术》1992年第1期62-64,共3页王健伟 万群 秦福 
本文通过温度测量实验,对直拉法硅熔体流动状态及强度进行了研究。证明熔体的温度梯度及热对流强度随熔体深度的减小而减小,并讨论了熔体对流对硅单晶中氧含量的影响。
关键词：单晶硅 直拉法 温度测量 熔体流动 
水平磁场对熔体热对流抑制作用的理论分析被引量：1
《稀有金属》1991年第1期61-64,共4页孙茂友 万群 秦福 
在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而引入微缺陷,降低单晶的均匀性;另一方面,热对流将直接影响单晶中的间隙氧含量,并进一步影响到随后的氧沉淀形...
关键词：磁场 硅熔体 热对流 抑制作用 
对坩埚中硅熔体自由表面流的研究
《稀有金属》1989年第2期168-172,共5页李英春 万群 秦福 
本文采用观察熔硅自由表面上标记物体移动方式的方法研究了坩埚中自由表面层熔体的流动。提出了熔体中杂质传输的新看法。实验结果证实了自由表面层熔体流动对杂质在晶体中分布的影响。
关键词：坩埚 硅 熔体 自由表面层 杂质 
直拉法硅表面层熔体流动所遵循的线性规律
《上海金属（有色分册）》1989年第1期7-10,共4页李英春 秦福 万群 
本文定量地研究了硅自由表面层熔体的流动规律,用大量实验数据确立了自由表面层熔体径向流动速度与熔体纵横比(D/H)值的线性对应关系。根据这个关系可以成功地解释和处理硅单晶生长过程中的许多相关问题。
关键词：直拉法 硅单晶 晶体生长 熔体 
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