水平磁场对熔体热对流抑制作用的理论分析  

作　　者：孙茂友[1] 万群[1] 秦福[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1991年第1期61-64,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而引入微缺陷,降低单晶的均匀性;另一方面,热对流将直接影响单晶中的间隙氧含量,并进一步影响到随后的氧沉淀形成。因此,在单晶生长过程中如何控制或抑制熔体的热对流越来越受到重视。

关 键 词：磁场 硅熔体 热对流 抑制作用 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]