单晶拉制

作品数：11被引量：12H指数：2
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颗粒料中有机杂质对单晶硅片影响及分离技术浅析
《中国科技期刊数据库 工业A》2021年第8期201-202,共2页钟峥 
2019至2020年,平价光伏时代已经到来,异质结及PERC+等新技术的导入,行业集中度进一步提升,产品链龙头效应更加显著,行业各环节成本控制更加明朗,其主要成本组成多晶硅料的单耗、次级品应用,多晶硅副产品硅料的应用等已成为降本增效的重...
关键词：颗粒料 多晶硅 单晶拉制 C杂质 
我国第一根直径12英寸的红外光学锗单晶研制成功
《红外》2003年第2期F004-F004,共1页
据《科学时报》报道,我国第一根直径为12英寸的红外光学锗单品,于最近在北京有色金属研究总院下属的北京国晶辉红外光学科技有限公司研制成功。
关键词：红外光学 锗单晶 生长技术 研制 人工控制 单晶拉制 
一个非定常自由边界问题解的存在、唯一性被引量：1
《江苏石油化工学院学报》2001年第4期56-57,共2页刘玉清 沃松林 
推广了单晶拉制中的一个非定常自由边界问题 。
关键词：自由边界 存在性 唯一性 非定常 解 单晶拉制 
一个非定常自由边界问题解的存在唯一性被引量：2
《浙江大学学报（自然科学版）》1999年第3期243-246,共4页汤国桢 
浙江省自然科学基金
考虑单晶拉制非定常模型中提出来的一个自由边界问题，给出了它的存在唯一性．
关键词：自由边界问题 解 非正常自由边界 单晶拉制 
大尺寸钇钡铜氧超导体单晶
《稀土信息》1997年第Z1期21-21,共1页丘邑 
较大尺寸的YBa2Cu3O7（YBCO）超导体单晶的生长速率又有所提高。能够连续生产这样大尺寸的YBCO单晶的技术为富溶质液态单晶拉制技术,该工艺被认为是生产大尺寸YBCO超导体单晶最有前景的工艺。以前采...
关键词：钇钡铜氧超导体 大尺寸 生长速率 体单晶 单晶拉制 单晶生长 超导研究实验室 生产装置 YBa2Cu3O7 超导转变温度 
直拉硅单晶中热施主的快速热退除被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第10期789-793,共5页栾洪发 张果虎 李兵 陈学清 秦福 钱佩信 
本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题．结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同．４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生．
关键词：单晶拉制 硅 热施主 热处理 
单晶炉等径控制方法
《LSI制造与测试》1992年第6期10-15,共6页耀飞黔 
关键词：半导体材料 单晶拉制 单晶炉 控制 
拉制大直径区熔Si单晶用的晶体支持器
《LSI制造与测试》1992年第6期40-42,共3页李留臣 马学陶 
关键词：半导体材料 单晶炉 单晶拉制 
φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺被引量：1
《稀有金属》1990年第2期120-124,共5页曾世铭 王大平 张鲁 
一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10^(18)cm^(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利...
关键词：控氧工艺 硅 单晶拉制 
磁场拉晶技术简介被引量：7
《半导体情报》1989年第1期25-30,24,共7页韩玉杰 孙同年 
本文回顾了磁场拉晶的历史,并对磁拉Si、GaAs和InP的原理、装置、生长技术以及发展水平作了简要的描述,评价了磁拉单晶的电学、光学性能和结晶学特性,概括性地对磁拉单晶与微重力下生长的晶体作了比较。
关键词：单晶拉制 磁场拉晶 单晶 
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