φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺  

作　　者：曾世铭[1] 王大平[1] 张鲁[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1990年第2期120-124,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10^(18)cm^(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利,缺点对器件工艺有害,使晶片质量变坏。 众所周知,不同器件要求不同的氧含量:p型(100),[O]=1.0～1.3×10^(18)cm^(-3),用于MOS;n型(100),[O]=1.

关 键 词：控氧工艺 硅 单晶拉制 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]