张鲁

作品数:2被引量:1H指数:1
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供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文主题:单晶拉制直拉硅单晶成品率N型更多>>
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提高n型〈100〉硅单晶质量和成品率的研究
《稀有金属》1990年第3期227-229,共3页曾世铭 张鲁 何林 屠海令 翟福义 
(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25.4cm/h的速度,提升1h后取出,对比这两种条件下的单晶。
关键词:硅单晶 质量 成品率 
φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺被引量:1
《稀有金属》1990年第2期120-124,共5页曾世铭 王大平 张鲁 
一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10^(18)cm^(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利...
关键词:控氧工艺  单晶拉制 
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