曾世铭

作品数：4被引量：3H指数：1
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Φ100mm重掺砷〈111〉硅单晶的制备
《稀有金属》1995年第4期286-289,共4页曾世铭 常青 王锻强 张果虎 
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的砷毒防护方法。
关键词：重掺杂 硅单晶 直拉法 掺砷 
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定被引量：2
《稀有金属》1995年第3期235-236,共2页常青 曾世铭 何林 王君毅 
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺锑硅单晶是在ＣＧ－３０００型直拉单晶炉上研制的，直径为８２ｍ...
关键词：硅 单晶 锑 掺杂 蒸发速率 测定 
提高n型〈100〉硅单晶质量和成品率的研究
《稀有金属》1990年第3期227-229,共3页曾世铭 张鲁 何林 屠海令 翟福义 
(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25.4cm/h的速度,提升1h后取出,对比这两种条件下的单晶。
关键词：硅单晶 质量 成品率 
φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺被引量：1
《稀有金属》1990年第2期120-124,共5页曾世铭 王大平 张鲁 
一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10^(18)cm^(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利...
关键词：控氧工艺 硅 单晶拉制 
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