重掺杂

作品数：78被引量：80H指数：4
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n型“SE+TOPCon”太阳电池硼扩散氧化推结过程中的湿氧化工艺研究
《太阳能》2024年第12期72-78,共7页陈骏 李兵 赵增超 申凯琳 刘湘祁 邓新新 
为了探究湿氧化工艺在叠加选择性发射极(SE)技术的n型隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池(下文简称为“n型‘SE+TOPCon’太阳电池”)制备工艺中的作用,在制备此类太阳电池的硼扩散工艺氧化推结过程中增加了湿氧化工艺,通过实验对比干...
关键词：TOPCon太阳电池 选择性发射极 湿氧化工艺 氧化推结 轻掺杂区 重掺杂区 方阻 光电转换效率 
重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性
《半导体技术》2024年第5期417-424,共8页杨磊 程佳辉 杨蕾 张泽盛 龚春生 简基康 
广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628);北京市科技计划项目(Z231100006023015)。
系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al...
关键词：p型SiC Ni/Al 欧姆接触 重掺杂 液相法 
重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究
《人工晶体学报》2024年第5期773-780,791,共9页程佳辉 杨磊 王劲楠 龚春生 张泽盛 简基康 
广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628);北京市科技计划项目(Z231100006023015)。
本文采用熔融KOH刻蚀方法详细研究了液相法生长的重掺杂P型6H-SiC晶体中的位错情况,探究了时间、温度变化对液相法生长的重掺杂P型6H-SiC晶片表面刻蚀的影响。当提高腐蚀时间或腐蚀温度时,晶片表面的腐蚀坑尺寸均表现出不同程度的增加,...
关键词：P型碳化硅 腐蚀 位错 重掺杂 腐蚀速率 活化能 
一种JFET区域具有N型重掺杂的1200 V碳化硅浅槽平面MOSFET器件的设计与优化
《微电子学》2023年第4期741-746,共6页张丙可 李旭晗 王锐 董佳俊 常树丞 孙俊敏 白雪 李哲洋 金锐 
国家电网科技项目(5500-202258112A-1-1-ZN)
介绍了一种在JFET区域采用浅槽N型重掺杂降低器件比导通电阻与开启损耗的1200 V碳化硅平面栅MOSFET器件。采用浅槽结构设计,减小了器件栅源电容C_(GS)及栅漏电容与栅源电容比值C_(GD)/C_(GS),降低了器件的开启损耗。浅槽下方采用的N型...
关键词：4H-SiC MOSFET Miller电容 分裂栅MOSFET 
重掺杂多晶硅薄膜中磷氧化物的探究
《物理学报》2022年第18期356-362,共7页王艺琳 兰自轩 杜汇伟 赵磊 马忠权 
国家自然科学基金(批准号:61874070,61674099,61274067);上海大学索朗光伏材料与器件R&D联合实验室基金(批准号:SS-E0700601)资助的课题。
在n-型隧穿氧化物钝化接触(n-TOPCon)光伏器件中,高浓度磷掺杂的多晶硅薄膜(n^(+)poly-Si)是电子选择性钝化的关键材料.它的光学和电子学性能取决于化学组态与多晶结构的物相,并依赖于晶态转化过程中的高温退火与结构弛豫.采用低压化学...
关键词：多晶硅(n^(+)) 磷氧化物 硅氧化物 光电子谱 深度刻蚀分析 
基于隧穿氧化物钝化接触的高效晶体硅太阳电池的研究现状与展望被引量：8
《物理学报》2021年第17期288-298,共11页任程超 周佳凯 张博宇 刘璋 赵颖 张晓丹 侯国付 
国家重点研发计划(批准号:2018YFB1500402);国家自然科学基金(批准号:62074084)资助的课题.
在当今的光伏市场,晶体硅电池占据超过九成的份额,并且被认为在未来将依旧占据主导地位.在高效晶硅电池中,隧穿氧化物钝化接触太阳电池(tunnel oxide passivated contact solar cell,TOPCon)因其优异的表面钝化效果以及与传统产线兼容...
关键词：隧穿氧化物钝化接触 超薄氧化硅 重掺杂多晶硅层 太阳电池 
一种3D垂直结构的光电探测器研制
《微电子学》2021年第2期281-284,共4页戴永红 唐政维 刘新 李雨欣 
提出了一种3D垂直结构光电探测器及制作方法。将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上,上电极通过金丝连接到放大电路,使得光通过侧面进入本征工层,有效解决了重掺杂死区和金属电极的阻光问题,降低了光损失,减少了复合率,提高了响应度。...
关键词：光电探测器 重掺杂死区 金属电极挡光 
掺杂剂对200 mm重掺杂硅片APCVD工艺前表面颗粒的影响被引量：1
《稀有金属》2019年第6期668-672,共5页韩萍 曲翔 周旗钢 肖清华 刘斌 何宇 
国家科技重大专项项目(2010ZX02302001)资助
在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, AP...
关键词：颗粒 存放时间 重掺硅片 常压化学气相沉积 
第一性原理计算绝缘体-金属转变临界掺杂浓度:Co重掺杂Si体系被引量：1
《原子与分子物理学报》2019年第2期342-348,共7页薛晓晚 杨影影 秦圆 吴爱民 王旭东 黄昊 姚曼 
国家自然科学基金(21233010);中央高校基本科研业务专项资金(DUT16ZD102)
基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文旨在探索确定绝缘体-金属转变临界浓度的理论计算方法.以Co重掺杂Si为研究对象,构建并计算了10个Co不同掺杂浓度模型的晶体结构、杂质形成能及其电子性质.发现在Co掺杂Si体系的带隙中形成了杂质能...
关键词：重掺杂 绝缘体-金属转变 临界浓度 中间带 第一性原理 
脉冲放电和高能球磨组合制备纳米硅颗粒的储锂性能研究
《电加工与模具》2018年第A01期27-32,53,共7页孙洪凯 赵明才 张娟 曹祥威 汪炜 
国家自然科学基金资助项目(51675275)
按照一种高质高效、自上而下的纳米硅制备方法,以P型重掺杂晶体硅和N型重掺杂晶体硅为原料,探究不同重掺杂类型对电化学性能的影响。采用脉冲放电和高能球磨组合法制备纳米硅颗粒,获得平均粒径(D50)约为100 nm且尺寸分布均匀的硅颗粒。...
关键词：纳米硅 脉冲放电 高能球磨 重掺杂 
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