提高n型〈100〉硅单晶质量和成品率的研究  

作　　者：曾世铭[1] 张鲁[1] 何林[1] 屠海令[1] 翟福义 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1990年第3期227-229,共3页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25.4cm/h的速度,提升1h后取出,对比这两种条件下的单晶。

关 键 词：硅单晶 质量 成品率 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]