磁场拉晶技术简介  

作　　者：韩玉杰 孙同年 

出　　处：《半导体情报》1989年第1期25-30,24,共7页Semiconductor Information

摘　　要：本文回顾了磁场拉晶的历史,并对磁拉Si、GaAs和InP的原理、装置、生长技术以及发展水平作了简要的描述,评价了磁拉单晶的电学、光学性能和结晶学特性,概括性地对磁拉单晶与微重力下生长的晶体作了比较。

关 键 词：单晶拉制 磁场拉晶 单晶 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]