颗粒料中有机杂质对单晶硅片影响及分离技术浅析  

作　　者：钟峥 

机构地区：[1]新疆大全新能源股份有限公司,新疆石河子832000

出　　处：《中国科技期刊数据库 工业A》2021年第8期201-202,共2页

摘　　要：2019至2020年,平价光伏时代已经到来,异质结及PERC+等新技术的导入,行业集中度进一步提升,产品链龙头效应更加显著,行业各环节成本控制更加明朗,其主要成本组成多晶硅料的单耗、次级品应用,多晶硅副产品硅料的应用等已成为降本增效的重要指标;多晶硅破碎中副产品小粒径硅颗粒料其理化指标与正常品一致,但由于前端硬件设施固有缺陷,导致其中混杂着高分子材料碎屑,其粒径分布0.2~5mm,现有设备、人工挑选效率低,剔除准确率低。高分子材料在单晶炉中高温下碳化形成c原子杂质融入单晶硅棒中,极大降低产品品质,因此工业化批量去除硅颗粒料中有机杂质是单晶拉制使用的重要指标。

关 键 词：颗粒料 多晶硅 单晶拉制 C杂质 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]