PECVD法

作品数：134被引量：285H指数：7
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PECVD法制备新型Cu-Gr复合材料用于未来互连
《科学通报》2024年第35期5183-5194,共12页王璐伟 王伟 梁旭婷 马勤政 
河北省自然科学基金(F2019202377)资助。
随着后端互连间距和横截面积的持续减小,Cu面临着电阻率、电迁移和RC延迟等挑战.石墨烯覆盖Cu后形成的复合材料(Cu-Gr),可以显著降低Cu线电阻率,提高其电流密度与抗电迁移性能,能有效应对当前纯Cu互连所面临的挑战.本文首先采用物理气...
关键词：新型互连材料 石墨烯 等离子体化学气相沉积 衬底偏压 电导率 热应力 
医用钛表面石墨烯薄膜的PECVD法制备及其性能
《表面技术》2024年第8期156-162,190,共8页张宪明 蔡丁森 钱仕 
宁波市高层次人才和高端创业创新团队资助项目(2018A-09-C);国家自然科学基金面上项目(31971259)。
目的在医用钛表面制备石墨烯薄膜,研究生长时间对石墨烯薄膜理化性能和生物学性能的影响。方法采用等离子体增强化学气相沉积设备,在医用钛表面制备石墨烯薄膜,控制石墨烯薄膜生长时间为5、10、30 min。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜、...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 医用钛 石墨烯 耐腐蚀性 细胞相容性 
PECVD法制备石墨烯过程中不同生长阶段H2的作用分析
《真空》2024年第1期34-40,共7页黄光宏 李迪 李娜 甄真 王鑫 许振华 
中国科协青年人才托举工程(NO.YESS20200306)。
石墨烯作为一种性能独特的新型二维材料,在航空航天、电子器件、医学生物等领域具有巨大的发展潜力。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以铜箔为基底,利用氢气和甲烷混合气体制备了石墨烯,研究了生长及冷却阶段H2对石墨烯形核及...
关键词：石墨烯 等离子体辅助化学气相沉积 H2等离子体 
PECVD法原位渗氮表面改性钛双极板的性能
《工程科学学报》2023年第4期602-610,共9页冯利利 侯玉星 汤思遥 李栓 郑捷 李星国 
国家重点研发计划资助项目(2018YFB1502104,2021YFE0107200);越崎学者专项资金资助项目(2020QN11);中央高校基本科研业务费资助项目(2022YJSHH20)。
为了提升钛双极板的导电性和耐腐蚀性,利用氮气等离子体原位渗氮法对钛片(TA2)进行表面改性,制备了系列氮化钛涂层,系统研究了反应温度和渗氮时间对涂层表面形貌、疏水性、界面导电性和耐腐蚀性的影响.结果表明,温度过高会导致氮化钛生...
关键词：钛双极板 表面改性 等离子体增强化学气相沉积 原位渗氮 氮化钛涂层 
PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能被引量：2
《物理学报》2022年第9期291-301,共11页梁琦 杨孟骐 张京阳 王如志 
国家自然科学基金(批准号:11774017)资助的课题。
采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量和弄清GaN薄膜光响应机制,研究了GaN缓冲层制备温度对GaN薄膜结晶质量和光电性能的影响.研究表明,随着...
关键词：GAN薄膜 等离子增强化学气相沉积法 结晶质量 光响应度 光响应机理 
PECVD法在ALD氧化铝绕镀问题中的应用研究
《光源与照明》2022年第2期74-76,共3页张春成 李明 黄嘉斌 张弥涛 李晔纯 
湖南省创新型省份建设专项:晶体硅太阳能电池工程技术研究中心(2019TP2048)。
文章针对采用ALD氧化铝+PECVD氮化硅背钝化路线的PERC太阳电池制备过程中,ALD单面沉积氧化铝时伴随的绕镀问题,采用PECVD法,在相对较低的反应腔体温度下,利用等离子体轰击,重点去除硅片边缘绕镀的氧化铝,而后利用同次工艺后段氮化硅沉...
关键词：PECVD法 ALD氧化铝 绕镀 PERC太阳电池 
PECVD法制备SiO_(2)膜均匀性研究被引量：4
《激光与红外》2021年第10期1348-1351,共4页龙长林 吴限 陈国钦 程文进 
针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO_(2)薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系。实验结果表明:在结构方面,SiO_(2)薄膜均匀性主要受到喷淋板孔径大小与结构的影响;在工艺参...
关键词：PECVD SiO_(2)薄膜 喷淋板 均匀性 
PECVD法沉积大尺寸氮化硅薄膜性能的研究被引量：5
《真空科学与技术学报》2021年第2期188-192,共5页胡毓龙 金哲山 董杰 刘晓婷 霍建宾 
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论。PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会随镀膜...
关键词：薄膜晶体管 化学气相沉积 氮化硅 均一度 致密度 膜厚 
退火温度对PECVD法制备SiO2/Si3N4光学薄膜性能的影响被引量：1
《材料工程》2020年第12期75-81,共7页吴立宇 李小强 王斌 屈盛官 
GF基础科研计划项目(JCKY2017210B028)。
基于多层光学薄膜的基本原理及算法,采用等离子体增强化学气相沉积方法在GaAs衬底上制备SiO2/Si3N4双层减反射膜,通过原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-...
关键词：减反射膜 GaAs基太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积 退火 
工作压强对PECVD法制备DLC薄膜微观结构与力学性能的影响被引量：3
《金属热处理》2019年第1期162-167,共6页李瑞武 周艳文 李建伟 范巍 郭媛媛 吴法宇 
国家自然科学基金(51672119;51502126);辽宁科技大学重点实验室开放课题(USTLKFSY201705);辽宁省自然科学基金(20180550802)
采用脉冲等离子体增强化学气相沉积方法(Pulse-PECVD)于316L不锈钢基体上制备类金刚石(DLC)薄膜,研究不同工作气压对DLC薄膜的沉积速率、表面形貌、微观结构、纳米硬度、弹性模量以及结合强度的影响规律。结果表明:随沉积气压增大,薄膜...
关键词：脉冲等离子体增强化学气相沉积 DLC薄膜 工作压强 拉曼光谱 力学性能 
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