Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究  

Study on Radial Oxygen Uniformity of Φ 125 mm Cz Si Crystal

作　　者：郝玉清[1] 张果虎[1] 常青[1] 方锋[1] 吴志强[1] 万关良[1] 秦福[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1998年第6期466-468,共3页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。The radial oxygen uniformity of Φ 125 mm Cz Si single crystal was investigated. The optimum proces is Growth from Φ 300 mm hot zone. The crystal rotation is related with the radial uniformity whereas the crucible rotation is ineffective.

关 键 词：硅单晶 氧径向均匀性 热场 晶转速度 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]