非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究  

A Study on Gettering Technique of Amorphous Silicon

作　　者：刘莉[1] 秦福[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第7期538-541,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍．Abstract A novel back side gettering technique is studied. The technique consists of applying a film of a Si∶H with thickness of 400 ￣800nm to the back side of a silicon wafer、annealing at 650￣680℃ and then polishing the surface of the silicon wafer.The technique is found to be effective for eliminating the defects of “fog”, meanwhile the minority carrier lifetime can be improved 2￣4 times.

关 键 词：半导体 硅片 非晶硅 PECVD法 吸除技术 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.05